[发明专利]一种多晶硅薄膜制造设备及方法

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜制造设备，包括炉管，所述炉管包括内管，所述内管中设置有用于放置用于淀积多晶硅薄膜晶片的晶舟，其特征在于，还包括：

通入所述内管的与所述内管中设置的晶舟数量相等的进气管，用于向所述内管通入反应气体，所述进气管中每根进气管上对应于所述内管中设置有晶舟的位置开有进气口，其中，每根进气管上的进气口的位置分别与一晶舟的位置相对应；

数量与所述进气管数量相等的流量控制器，分别设置于与所述进气管连接的气体管路中，用于控制每根进气管内的气体流量。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，各进气管的长度相等。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，每根进气管的长度为从炉尾开始，到其上距离所述炉尾最远一个的进气口为止。

4.如权利要求2或3所述的设备，其特征在于，在所述内管中设置数量与所述晶舟数量相等的隔离板，将所述内管隔离为数量与所述晶舟数量相等的腔体。

5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述隔离板为石英隔离板。

6.如权利要求4所述的设备，其特征在于，在每个所述腔体所对应的所述内管上分别开设一内管排气口。

7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，从炉尾到炉口，所述内管排气口的面积呈递减趋势。

8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述流量控制器为质量流量控制器MFC。

9.一种多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

向通入所述内管的与所述内管中设置的晶舟数量相等的进气管中分别通入反应气体，所述进气管上对应于所述内管中放置有晶舟的位置分别开有进气口，其中，每根进气管上的进气口的位置分别与一晶舟的位置相对应；

设置于与所述进气管连接的气体管路内的流量控制器分别控制每根进气管中的气体流量，获得多晶硅薄膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括步骤：剩余反应气体通过所述内管上开设的内管排气口排出。