[发明专利]一种可变增益放大器

权利要求书

1.一种可变增益放大，由折叠式共源共栅结构、增益调节单元、电流镜、负载电阻、电流源以及控制电压转换电路组成，其特征在于：

所述的折叠式共源共栅结构管由第一NMOS晶体管（M1），第MOS晶体管（M2），第三NMOS晶体管（M3）和第四NMOS晶体管（M4）组成，其中M1和M2构成折叠式共源共栅的共源输入对管，M3和M4构成折叠式共源共栅结构的共栅对管，将输入差分电压信号转换成差分电流信号；

所述的增益调节单元，由第五NMOS晶体管（M5），第六NMOS晶体管（M6）和第七NMOS晶体管（M7）组成，作为电流开关；

所述的电流镜，由M8，M9，M10，M11，M12和M13构成的电流镜，实现电流镜像；

所述的负载电阻R1，在负载电阻R1两端上产生差分输出电压(Voutn、Voutp)；

所述的电流源，由第一电流源（I1），第二电流源（I2），第三电流源（I3）和电流源（I4）组成，给折叠式共源共栅结构和电流镜提供静态工作电流；

所述的控制电压转换电路，以输入控制电压(VCTR)产生不同旳增益调节单元中的控制电压(Vctr)，分别决定着所述的不同电流开关管的开启程度，实现增益改变；

电路之间的关系是：输入信号（vinp、vinn）经过折叠式共源共栅结构转变成电流信号，由控制电压（VCTR）控制的增益调节单元调节上述电流信号，实现电流信号的改变，再有电流镜镜像输出给负载电阻（R1），转换成输出电压信号（Voutn。Voutp），实现可变增益放大。

2.根据权利要求1所述种可变增益放大器，其特征在于：控制电压转换电路中包含有PMOS晶体管、NMOS晶体管和电阻R，在输入控制电压(VCTR)的作用下产生不同旳增益调节单元中的控制电压(Vctr)，控制电压转换电路转换出的增益调节单元中的控制电压至少为一条。

3.根据权利要求2所述种可变增益放大器，其特征在于：控制电压转换电路转换出的增益调节单元中的控制电压为三条时，控制电压转换电路结构如下：

第十四、第十五、第十六PMOS晶体管（M14、M15、M16），源漏分别耦接于第9节点与电源电压（VDD）之间，第10节点与电源电压（VDD）之间，第11节点与电源电压（VDD）之间，栅端同耦接于第三偏置电压（Vbias3）；

第十七、第十八、第十九PMOS晶体管（M17、M18、M19），源漏分别耦接于第9节点与第12节点之间，第10节点与第14节点之间，第11节点与第16节点之间，栅端同耦接于输入控制电压（VCTR）；

第二十、第二十一、第二十二PMOS晶体管（M20、M21、M22），源漏分别耦接于第9节点与第13节点之间，第10节点与第15节点之间，第11节点与第17节点之间，栅端分别耦接于第四偏置电压（Vref1），第五偏置电压（Vref2），第六偏置电压（Vref3）；

第二十三、第二十四、第二十五NMOS晶体管（M23、M24、M25），栅漏短接并分别耦接于第12节点，第14节点，第16节点，源端同耦接于地电压(GND)；

第二、第三、第四电阻（R2、R3、R4）分别耦接于上述第13节点与地电压(GND)之间，第15节点与地电压(GND)之间，第17节点与地电压(GND)之间；

上述第13节点、第15节点和第17节点分别产生增益调节单元中上述第五NMOS管（M5），第六NMOS管（M6）和第七NMOS管（M7）的栅端控制电压（Vctr1，Vctr2，Vctr3）。

4.根据权利要求1所述一种可变增益放大器，其特征在于：在同一控制电压转换电路的作用下，可以级联一级以上本发明提供的可变增益放大器，中间用高通滤波器进行滤波，以获得可変增益范围比单级的可变增益放大器所获得的可変增益范围更广。