[发明专利]一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201210162934.6 申请日: 2012-05-24
公开(公告)号: CN103426750B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 陈莹莹;曹秀亮 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 张静洁,徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属线 切口 问题 金属 湿法 蚀刻 方法
【权利要求书】:

1.一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:

步骤1、在硅衬底上依次溅镀钛金属层、氮化钛层和铝金属层,再在铝金属层的表面上溅镀一层氮化钛薄膜;

步骤2、采用光刻,在铝金属层上的整个氮化钛薄膜的表面上涂覆光刻胶,再根据光刻掩膜版的设计进行显影,在晶圆上需要制成金属线的区域内保留光刻胶;

步骤3、对氮化钛薄膜表面上涂覆的光刻胶进行紫外线硬化工艺处理;

步骤4、在未涂覆有光刻胶的区域内采用湿法蚀刻去除铝金属层和铝金属层表面上氮化钛薄膜,从而在涂覆有光刻胶的区域内制成镀有氮化钛薄膜的金属线;

步骤5、将镀有氮化钛薄膜的金属线上所涂覆的光刻胶去除;

步骤6、清洗晶圆表面以及其上制成的镀有氮化钛薄膜的金属线;

步骤7、将未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层,以及金属线上镀有的氮化钛薄膜采用湿法蚀刻去除,完成金属线的制成;

步骤8、对晶圆进行后道处理;

步骤9、对晶圆进行蚀刻后检查。

2.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤5中,采用金属湿法蚀刻后的灰化处理去除光刻胶。

3.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤6中,在晶圆表面以及其晶圆表面制成的镀有氮化钛薄膜的金属线上采用涂覆清洗溶剂及超声波进行清洗。

4.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤8中,对制成金属线的晶圆进行55秒的后道制程的灰化处理。

5.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤9中,晶圆的蚀刻后检查采用全检或抽样检查。

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