[发明专利]一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法有效
申请号: | 201210162934.6 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN103426750B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 陈莹莹;曹秀亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属线 切口 问题 金属 湿法 蚀刻 方法 | ||
1.一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:
步骤1、在硅衬底上依次溅镀钛金属层、氮化钛层和铝金属层,再在铝金属层的表面上溅镀一层氮化钛薄膜;
步骤2、采用光刻,在铝金属层上的整个氮化钛薄膜的表面上涂覆光刻胶,再根据光刻掩膜版的设计进行显影,在晶圆上需要制成金属线的区域内保留光刻胶;
步骤3、对氮化钛薄膜表面上涂覆的光刻胶进行紫外线硬化工艺处理;
步骤4、在未涂覆有光刻胶的区域内采用湿法蚀刻去除铝金属层和铝金属层表面上氮化钛薄膜,从而在涂覆有光刻胶的区域内制成镀有氮化钛薄膜的金属线;
步骤5、将镀有氮化钛薄膜的金属线上所涂覆的光刻胶去除;
步骤6、清洗晶圆表面以及其上制成的镀有氮化钛薄膜的金属线;
步骤7、将未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层,以及金属线上镀有的氮化钛薄膜采用湿法蚀刻去除,完成金属线的制成;
步骤8、对晶圆进行后道处理;
步骤9、对晶圆进行蚀刻后检查。
2.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤5中,采用金属湿法蚀刻后的灰化处理去除光刻胶。
3.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤6中,在晶圆表面以及其晶圆表面制成的镀有氮化钛薄膜的金属线上采用涂覆清洗溶剂及超声波进行清洗。
4.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤8中,对制成金属线的晶圆进行55秒的后道制程的灰化处理。
5.如权利要求1所述的一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,所述的步骤9中,晶圆的蚀刻后检查采用全检或抽样检查。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210162934.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种船用大功率柴油机活塞
- 下一篇:一种具有压力保护装置的汽车散热器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造