[发明专利]一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构，其特征在于， 

所述半导体结构中分为具体实现半导体功能的芯片区域（1），和开设有划片槽（4）的划片区域（2），所述划片槽（4）位于所述划片区域（2）上远离芯片区域（1）的一端；

所述半导体结构中包含从所述芯片区域（1）延伸到所述划片区域（2）的硅衬底（10）、利用四乙基正硅酸盐形成的覆盖在所述硅衬底（10）上的第一氧化物层（22），以及覆盖在所述第一氧化物层（22）上的硼磷硅玻璃层（21）；其中，所述第一氧化物层（22）与硼磷硅玻璃层（21）构成为所述半导体结构的介电层（20）；

所述半导体结构中还包含开设在所述划片区域（2）上的保护槽（3），所述保护槽（3）位于所述芯片区域（1）与所述划片槽（4）之间，并且与所述芯片区域（1）及划片槽（4）分别有一定的间隔距离；所述保护槽（3）还将从所述芯片区域（1）延伸到划片区域（2）的所述硼磷硅玻璃层（21）和第一氧化物层（22）都切断并延伸到所述硅衬底（10）的顶面。

2.如权利要求1中所述能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构，其特征在于，

所述半导体结构中还包含铝的金属层（30），所述金属层（30）覆盖在所述硼磷硅玻璃层（21）位于所述芯片区域（1）的部分。

3.如权利要求2中所述能保护硼磷硅玻璃层（21）的半导体结构，其特征在于，

所述半导体结构中还包含利用四乙基正硅酸盐形成的第二氧化物层（41），以及覆盖在所述第二氧化物层（41）上的氮化硅层（42），所述的第二氧化物层（41）及氮化硅层（42）构成该半导体结构的钝化层（40）；

所述钝化层（40）至少覆盖了所述硅衬底（10）在保护槽（3）内暴露的顶面，以及所述硼磷硅玻璃层（21）及第一氧化物层（22）各自在保护槽（3）内暴露的侧面；并且，在覆盖了所述钝化层（40）以后，所述保护槽（3）的两个侧壁之间还留有一定的间隔距离（S）。

4.如权利要求3中所述能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构，其特征在于，

所述钝化层（40）还覆盖在所述金属层（30）的顶面和侧面，以及位于划片区域（2）且在开设保护槽（3）后留下的硼磷硅玻璃层（21）的顶面。

5.如权利要求4中所述能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构，其特征在于，

所述划片槽（4）将所述氮化硅层（42）、第二氧化物层（41）、硼磷硅玻璃层（21）和第一氧化物层（22）都切断，并使所述硅衬底（10）的一部分顶面在该划片槽（4）内暴露出来。

6.一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构的制造方法，用于制造如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：

步骤1、设置一个从芯片区域（1）延伸到划片区域（2）的硅衬底（10），再利用四乙基正硅酸盐形成一个覆盖在硅衬底（10）上的第一氧化物层（22），并形成一个覆盖在所述第一氧化物层（22）上的硼磷硅玻璃层（21）；所述的第一氧化物层（22）与硼磷硅玻璃层（21）构成为该半导体结构的介电层（20）；

步骤2、形成覆盖在硼磷硅玻璃层（21）上的铝膜，并通过刻蚀工艺保留位于芯片区域（1）的铝膜作为金属层（30），还在金属层（30）上形成了设定好的图案；

步骤3、在划片区域（2）开设一个保护槽（3），该保护槽（3）先后将所述硼磷硅玻璃层（21）和第一氧化物层（22）切断并延伸到硅衬底（10）的顶面；所述保护槽（3）的开设位置，与所述划片区域（2）上靠近所述芯片区域（1）的一侧，以及所述划片区域（2）上远离所述芯片区域（1）并预定开设划片槽（4）的另一侧各自有一定的间隔距离。

7.如权利要求6中所述制造方法，其特征在于， 

步骤3中通过光刻工艺在步骤2之后的半导体结构上先设置一个掩膜，再在所述划片区域（2）上由该掩膜暴露出来的预定位置，刻蚀所述硼磷硅玻璃层（21）和第一氧化物层（22）来形成所述保护槽（3）。