[发明专利]基板的处理方法

权利要求书

1.一种基板的处理方法，包括：

提供一基板；

对该基板进行一元件形成步骤(device forming process)；以及

清洗该基板，包括：

使用一二流体水雾(atomic spray)清洗该基板；及

在使用该二流体水雾清洗该基板后，使用一去离子水淋洗(rinse)该基板。

2.如权利要求1所述的处理方法，其中该二流体水雾包括水及氮气。

3.如权利要求2所述的处理方法，其中以该二流体水雾清洗该基板时，水具有一流量为15-300立方厘米/分钟(sccm)，氮气具有一流量为大于0至100公升/分钟(lpm)。

4.如权利要求1所述的处理方法，其中以具有一流量约为1500立方厘米/分钟的该去离子水淋洗该基板。

5.如权利要求1所述的处理方法，其中使用该去离子水淋洗该基板的步骤在使用该二流体水雾清洗该基板的步骤之后约10微秒(μs)至1分钟开始进行。

6.如权利要求1所述的处理方法，其中使用该二流体水雾清洗该基板的步骤后约10微秒(μs)至1分钟，开始以该去离子水淋洗该基板。

7.如权利要求6所述的处理方法，其中在以该去离子水淋洗该基板时，同时持续以该二流体水雾清洗该基板。

8.如权利要求1所述的处理方法，其中使用该去离子水淋洗该基板与使用该二流体水雾清洗该基板的步骤同时一起进行。

9.如权利要求1所述的处理方法，在清洗该基板前还包括：

设置该基板于一转盘上；以及

使该转盘以每分钟转速30-200(rpm)转动。

10.如权利要求9所述的处理方法，其中在使用该二流体水雾清洗该基板之前约1-3秒转动该转盘。

11.如权利要求9所述的处理方法，其中该转盘转动时，清洗该基板的步骤同时一起进行。

12.如权利要求1所述的处理方法，其中元件形成步骤包括一离子植入(ion implantation)制作工艺、一蚀刻制作工艺、形成一材料层、一光刻(lithography)制作工艺、以及一剥离(stripping)制作工艺的至少其中之一。

13.如权利要求12所述的处理方法，其中该离子植入制作工艺包括：

涂布一光致抗蚀剂层于该基板上；

植入离子于该基板内；以及

移除该光致抗蚀剂层。

14.如权利要求1所述的处理方法，其中对该基板进行该元件形成步骤在清洗该基板之前进行。

15.如权利要求1所述的处理方法，其中对该基板进行该元件形成步骤在清洗该基板之后进行。

16.如权利要求1所述的处理方法，其中在使用该二流体水雾清洗该基板的步骤之后，清洗该基板的步骤还包括：

使用一化学溶液清洗该基板。

17.一种基板的处理方法，包括：

提供一基板；

对该基板进行一元件形成步骤(device forming process)；

使用一二流体水雾(atomic spray)清洗该基板；以及

在使用该二流体水雾清洗该基板后，使用一化学溶液清洗该基板。

18.如权利要求17所述的处理方法，其中该二流体水雾包括水及氮气。

19.如权利要求18所述的处理方法，其中以该二流体水雾清洗该基板时，水具有一流量为15-300立方厘米/分钟(sccm)，氮气具有一流量为大于0至100公升/分钟(lpm)。

20.如权利要求17所述的处理方法，其中使用该化学溶液清洗该基板的步骤在使用该二流体水雾清洗该基板的步骤之后。

21.如权利要求17所述的处理方法，在使用该二流体水雾清洗该基板前还包括：

设置该基板于一转盘上；以及

使该转盘以每分钟转速30-200(rpm)转动。