[发明专利]一种新型的含二苯并噻吩窄带系共轭聚合物材料的制备无效
申请号: | 201210162481.7 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN103421165A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 李翠红;薄志山;金恩泉 | 申请(专利权)人: | 李翠红;薄志山;金恩全 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/46 |
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地址: | 100875 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 含二苯 噻吩 窄带 共轭 聚合物 材料 制备 | ||
【权利要求书】:
1.一种新型的含氟窄带隙共轭聚合物材料,分别为:
。
2.权利要求1所述材料的方法,主要步骤是:
氮气气氛下,以四氢呋喃和水为溶剂,将4,7-二(5-溴噻吩-2-基)-5,6-二(辛氧基)-[1,2,5]苯并噻二唑和3,6-二(辛氧基)-2,7-二硼酸-二苯并噻吩,摩尔比为1∶1,在四(三苯基膦)钯催化下在100-120℃温度下反应72小时,得到式I结构的含二苯并噻吩的共轭聚合物。
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