[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备无效
申请号: | 201210162370.6 | 申请日: | 2010-05-19 |
公开(公告)号: | CN102738411A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 森胁俊贵 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一衬底,其包括设置在所述第一衬底的主表面上的元件;
第二衬底,其设置为面向所述第一衬底的其上设置有所述元件的所述主表面;以及
密封层(32),其设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,以布置在所述第二衬底下方;
其中,所述第二衬底具有凹陷部,并且所述密封层被布置为延伸至所述凹陷部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,树脂(31)被设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,保护膜设置在所述第一衬底和所述第二衬底中每一者的至少一个表面上。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述元件是有机电致发光元件。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
所述第二衬底形成有周缘突起部。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述凹陷部形成在绝缘层(25)与所述第二衬底(21)之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,所述绝缘层(25)形成在所述第二衬底中。
8.一种用于制作显示装置的方法,包括:
第一步骤,在第一衬底上馈送用于密封层(32)的未硬化材料;
第二步骤,设置第二衬底,使得所述第二衬底面向所述第一衬底;
第三步骤,将已经被馈送的用于所述密封层的所述材料填充在所述第二衬底的凹陷部内;以及
第四步骤,使得用于所述密封层的所述材料在所述第一衬底与所述第二衬底之间硬化,以形成所述密封层。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中,通过使压力增大至大气压来执行所述第三步骤。
10.根据权利要求8所述的方法,
其中,将树脂(31)布置在所述第一衬底与所述第二衬底之间。
11.根据权利要求8所述的方法,
其中,通过毛细作用来完成第三步骤中的填充。
12.根据权利要求8所述的方法,
其中,所述凹陷部被形成在绝缘层(25)与所述第二衬底(21)之间。
13.根据权利要求12所述的方法,
其中,所述绝缘层(25)被形成在所述第二衬底中。
14.一种电子设备,包括:
面板,包括
第一衬底,其具有设置在所述第一衬底的主表面上的元件;
第二衬底,其设置为面向所述第一衬底的其上设置有所述元件的所述主表面;以及
密封层,其设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,以布置在第一密封层外部;
其中,所述第二衬底具有凹陷部,并且所述密封层被布置为延伸至所述凹陷部。
15.根据权利要求14所述的电子设备,
其中,所述面板是显示面板。
16.根据权利要求14所述的电子设备,
其中,树脂(31)被设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间。
17.根据权利要求14所述的电子设备,
其中,保护膜设置在所述第一衬底和所述第二衬底中每一者的至少一个表面上。
18.根据权利要求14所述的电子设备,
其中,所述元件是有机电致发光元件。
19.根据权利要求14所述的电子设备,
所述第二衬底形成有周缘突起部。
20.根据权利要求14所述的电子设备,
其中,所述凹陷部形成在绝缘层(25)与所述第二衬底(21)之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择