[发明专利]多层透明导电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210162353.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102677012A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 龙国云;耿永友 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多层透明导电薄膜的制备方法，所述的多层透明导电薄膜的结构包括衬底（1）、在该衬底（1）上依次是ZnS-SiO2层（2）、Ag层（3）和ZnS-SiO2层（2），其特征在于制备过程如下：
a．磁控溅射靶材为高纯ZnS-SiO2和Ag靶材，其中ZnS-SiO2靶材中SiO2的摩尔百分含量不高于20%；
b．将基板，在丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗，之后用高纯氮气吹干，获得衬底（1）；
c．将衬底放于磁控溅射反应室，反应室真空至少抽到3.8×10-4Pa，通入高纯氩气作为工作气体，压强为0.5～5pa；
d．射频溅射沉积ZnS-SiO2膜层，溅射功率为80～100w，通过调整溅射时间控制膜层厚度，控制ZnS-SiO2膜层厚度：30～45nm；
e．直流溅射沉积Ag膜层，溅射功率为30～50w，通过调整溅射时间控制膜层厚度，控制Ag膜层厚度为：5～18nm。
f．再次射频溅射沉积ZnS-SiO2膜层，溅射功率为80～100w，控制ZnS-SiO2膜层厚度：30～45nm。
2.如权利1所述的多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于进一步对制得的多层膜在真空或大气环境条件下进行退火，退火时间为0.5~1小时，退火温度为80~300°C。
3.如权利1所述的多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述的衬底（1）为K9玻璃或有机柔性衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210162353.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种布料
- 下一篇：一种复相钢板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
