[发明专利]多层微结构磁铁无效
申请号: | 201210162330.1 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103138416A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 彭明灿;阳毅平;简士翔 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H02K1/06 | 分类号: | H02K1/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 微结构 磁铁 | ||
1.一种多层微结构磁铁,包括:
材料层结构;以及
微结构磁铁,其形成于该材料层结构的一表面或内层,该微结构磁铁具有由不同磁场大小所构成的一磁场分布。
2.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,该材料层结构为一单层结构或者是多层结构。
3.如权利要求2所述的多层微结构磁铁,该材料层结构的多层结构,各层的材料为永磁、导磁或不导磁材料。
4.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,其设置于一磁化区域内,该磁化区域所具有的主要磁铁磁化方向与该材料层结构的多层结构的堆叠方向夹角接近90度。
5.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,其设置于一磁化区域内,该磁化区域所具有的主要磁铁磁化方向与该材料层结构的多层结构的堆叠方向夹角接近0度。
6.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,该微结构磁铁通过脉冲宽度调变(pulse width modulation,PWM)的形式,以产生相应的磁场分布。
7.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,该材料层结构表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形状,该微结构磁铁分布在该材料层结构表面的弧面上,以产生相应的磁场分布。
8.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,该材料层结构内部堆叠层之间,是以弧面的形状相接,以产生相应的磁场分布。
9.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,该材料层结构的表面或内部具有多个凹槽,该微结构磁铁还具有多个磁铁,每一个磁铁嵌入于每个凹槽内。
10.如权利要求9所述的多层微结构磁铁,该微结构磁铁高于、等于、或低于该材料层结构凹槽的深度。
11.如权利要求1所述的多层微结构磁铁,其形成于一能量转换装置的一转子及一定子的其中一者上。
12.如权利要求11所述的多层微结构磁铁,该能量转换装置是径向磁通马达、轴向磁通马达、线性马达或发电机。
13.一种多层微结构磁铁,包括:
微结构磁铁,其形成于一转子及一定子的其中一者上,该微结构磁铁具有由不同磁场大小所构成的一磁场分布。
14.如权利要求13所述的多层微结构磁铁,该微结构磁铁通过脉冲宽度调变(pulse width modulation,PWM)的形式,以产生相应的磁场分布。
15.如权利要求13所述的多层微结构磁铁,该微结构磁铁表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形状,以产生相应的磁场分布。
16.如权利要求13所述的多层微结构磁铁,其形成于一能量转换装置的该转子及该定子的其中一者上。
17.如权利要求16所述的多层微结构磁铁,该能量转换装置是径向磁通马达、轴向磁通马达、线性马达或发电机。
18.一种多层微结构磁铁,包括:
多层材料层结构,其形成于一转子及一定子的其中一者上,该多层材料层结构具有由不同磁场大小所构成的一磁场分布。
19.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,该材料层结构是多层结构,各层的材料为永磁,导磁或不导磁材料。
20.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,其设置于一磁化区域内,该磁化区域所具有的主要磁铁磁化方向与该材料层结构的多层结构的堆叠方向夹角接近90度。
21.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,其设置于一磁化区域内,该磁化区域所具有的主要磁铁磁化方向与该材料层结构的多层结构的堆叠方向夹角接近0度。
22.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,该材料层结构表面是弧面,成正弦波(sinusoidal)形状,以产生相应的磁场分布。
23.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,该材料层结构内部堆叠层之间,以弧面的形状相接,以产生相应的磁场分布。
24.如权利要求18所述的多层微结构磁铁,其形成于一能量转换装置的该转子及该定子的其中一者上。
25.如权利要求24所述的多层微结构磁铁,该能量转换装置是径向磁通马达、轴向磁通马达、线性马达或发电机。
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