[发明专利]一种用于中子管的气体放电型离子源无效
| 申请号： | 201210161961.1 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102709140A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 邹宇;伍建春;展长勇 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01J27/04 | 分类号： | H01J27/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 中子 气体 放电 离子源 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于中子管的气体放电型离子源，从下到上包括磁钢（1）、下阴极板（2）、阳极筒（3）、上阴极板（4）和磁环（5），上阴极板（4）和下阴极板（2）垂直于阳极筒（3）的轴线放置于阳极筒（3）之外，磁钢（1）和磁环（5）分别紧靠下阴极板（2）和上阴极板（4）放置，上阴极板（4）有一离子束引出孔，离子束引出孔的轴线、磁环（5）的轴线、阳极筒（3）的轴线在同一直线上，其特征在于，还包括一泡沫金属活性薄板（7）和引出电极（8），所述泡沫金属活性薄板（7）通过一绝缘材料（6）和磁环（5）隔离后，放置于磁环之上，其表面与上阴极板（4）表面平行；所述引出电极（8）置于泡沫金属活性薄板（7）之上。
2.根据权利要求1所述的一种用于中子管的气体放电型离子源，其特征在于，所述泡沫金属活性薄板（7）的材料是Fe、Co、Ni或Ti。
3.根据权利要求1所述的一种用于中子管的气体放电型离子源，其特征在于，所述泡沫金属活性薄板（7）的厚度≤10 mm、平均孔径≥0.23 mm、比表面积≥250 m2/m3。
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