[发明专利]发光半导体元件及其制作方法以及光源模块

权利要求书

1.一种发光半导体元件，包含：

至少两导电单元，所述导电单元之间具有一开槽；

至少一发光半导体晶粒，跨接于所述多个导电单元；以及

一光穿透层，包覆所述发光半导体晶粒并至少部分填充于该开槽中以结合所述导电单元。

2.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该导电单元的厚度大于5微米。

3.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中所述多个导电单元的表面积大于等于所述发光半导体晶粒的表面积。

4.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一位于该光穿透层的中的光波长转换物质。

5.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一遮蔽层，该遮蔽层设置于该导电单元的一上表面及一下表面的至少其中之一，该下表面相反于该上表面。

6.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一设置于该导电单元下方的绝缘层。

7.如权利要求6所述的发光半导体元件，其中该绝缘层的厚度小于100微米。

8.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一挡墙，该挡墙设置于该导电单元并环绕该发光半导体晶粒，该光穿透层设置于该挡墙内。

9.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该导电单元包含两第二导电层及一设置于所述两第二导电层之间的绝缘层，该开槽至少贯穿其中的一第二导电层。

10.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该光穿透层部分地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

11.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该光穿透层完全地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

12.如权利要求11所述的发光半导体元件，其中该光穿透层包覆所述多个导电单元的侧缘。

13.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件包含多个导电单元及多个发光半导体晶粒，任两导电单元之间具有一开槽，各发光半导体晶粒跨接于任两导电单元，所述多个发光半导体晶粒通过所述多个导电单元形成串并联连接。

14.一种发光半导体元件，包含：

至少两导电单元，所述导电单元之间具有一开槽；

至少一发光半导体晶粒，设置于其中的一导电单元；

至少一导线，跨接于该发光半导体晶粒及另外的导电单元中的一个之间；以及

一光穿透层，包覆该发光半导体晶粒、该导线并至少部分填充于该开槽中以结合所述多个导电单元。

15.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该导电单元的厚度大于5微米。

16.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中所述多个导电单元的表面积大于等于该发光半导体晶粒的表面积。

17.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该光穿透层至少部分地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

18.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该光穿透层包覆所述多个导电单元的侧缘。

19.一种光源模块，包含：

一基板；以及

至少一如权利要求1至18中任一项所述的发光半导体元件，该发光半导体元件设置于该基板的一侧，并电连接于该基板。

20.如权利要求19所述的光源模块，其中该基板为散热装置或电路板。

21.一种发光半导体元件的制作方法，包含：

a)提供一导电层；

b)于该第一导电层形成至少一开槽；

c)设置至少一发光半导体晶粒于该第一导电层并与开槽两侧的该第一导电层形成电性连接；以及

d)形成一光穿透层，该光穿透层包覆该发光半导体晶粒并连接该第一导电层，且该光穿透层至少部分填充于该开槽。

22.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该发光半导体晶粒跨接于开槽两侧的第一导电层，该开槽露出至少部分该发光半导体晶粒，该光穿透层与该第一导电层配合紧密地包覆该发光半导体晶粒。