[发明专利]非自我对准的非挥发性存储器结构

权利要求书

1.一种非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，其包含有：

一半导体基底；

一左浮动栅极存储器晶胞与一右浮动栅极存储器晶胞，其形成于该半导体基底上，该左浮动栅极存储器晶胞的漏极与该右浮动栅极存储器晶胞的漏极分别接到不同电压准位；

一控制栅极，其位于该左浮动栅极存储器晶胞与该右浮动栅极存储器晶胞上，且该控制栅极涵盖该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极，以同时控制该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极；以及

一栅极绝缘层，其是位于该左浮动栅极存储器晶胞、该右浮动栅极存储器晶胞与该控制栅极之间。

2.根据权利要求1所述非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该控制栅极非位于该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极上方的部分的左右边界是各大于或等于该左浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极与该右浮动栅极存储器晶胞的浮动栅极的外侧边界。

3.根据权利要求1所述的非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该栅极绝缘层的材质为四乙氧基硅烷氧化层。

4.根据权利要求1所述的非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该控制栅极的材质为多晶硅。

5.根据权利要求1所述的非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该半导体基板中更包括一井型区，且该左浮动栅极存储器晶胞与该右浮动栅极存储器晶胞是位于该井型区。

6.根据权利要求1所述的非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该左浮动栅极存储器晶胞与该右浮动栅极存储器晶胞各包含有：

一浮动栅极绝缘层，其是位于该半导体基板上；

一浮动栅极，其是位于该浮动栅极绝缘层上；以及

一漏极与一源极，其是位于该半导体基板中，且分别位于该浮动栅极绝缘层的二侧，并与该浮动栅极绝缘层邻接。

7.根据权利要求1或6所述的非自我对准的非挥发性存储器结构，其特征在于，该右浮动栅极存储器晶胞与该左浮动栅极存储器晶胞的源极是共用的。