[发明专利]一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种耐腐蚀ZnO薄膜，包括ZnO，其特征在于：所制备的薄膜中还含有Sn，所述Sn掺杂ZnO薄膜的电阻率6.99×10^-2Ω?cm~1.06×10^-1Ω?cm，400~900nm波段的平均透过率为69%~82%，极化电阻6.20×10⁴Ω~1.20×10⁶Ω。

2.根据权利要求1所述的ZnO薄膜，其特征在于：所制备的薄膜中还含有Al，所述Al、Sn共掺杂ZnO薄膜的电阻率1.49×10^-3Ω?cm~5.10×10^-3Ω?cm，400~900nm波段的平均透过率为82%~89%，极化电阻3.96×10⁵Ω~1.40×10⁶Ω。

3.一种制备权利要求1所述的ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）以Sn和ZnO材料作为靶材，将靶材安装在磁控溅射设备的腔室内； 

（2）清洗待镀膜的衬底，除去衬底表面的沾污，然后吹干；

（3）将吹干后的衬底放入射频磁控溅射腔室内，抽真空至腔室内的真空度小于0.1Pa，并加热衬底至100℃~200℃；

（4）向腔室内通入惰性气体，并设置衬底旋转；

（5）通过磁控溅射方式，向Sn和ZnO两个靶上加射频电压：Sn靶射频电压0～16V，ZnO靶射频电压0～32V，然后通过两个靶共溅射的方式沉积Sn掺杂的ZnO薄膜。

4.一种制备权利要求2所述的ZnO薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）以Sn和AZO材料作为靶材，将靶材安装在磁控溅射设备的腔室内； 

（2）清洗待镀膜的衬底，除去衬底表面的沾污，然后吹干；

（3）将吹干后的衬底放入射频磁控溅射腔室内，抽真空至腔室内的真空度小于0.1Pa，并加热衬底至100℃~200℃；

（4）向腔室内通入惰性气体，并设置衬底旋转；

（5）通过磁控溅射方式，向Sn和AZO两个靶上加射频电压：Sn靶射频电压0～6V，AZO靶射频电压0～32V，然后通过两个靶共溅射的方式沉积Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述AZO靶材中含有1wt%~3wt%的Al₂O₃。

6.根据权利要求3或4所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述衬底为超白玻璃或普通玻璃。

7.根据权利要求3或4所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述真空度小于等于8×10^-4Pa。

8.根据权利要求3或4所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）所述惰性气体为Ar气，流量为20sccm~40sccm；所述衬底旋转转速为10r/min~30r/min。

9.根据权利要求3所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）所述ZnO靶溅射功率为100W~200W；Sn靶溅射功率设置为10W~30W。

10.根据权利要求4所述的一种耐腐蚀ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）所述AZO靶溅射功率为100W~200W；Sn靶溅射功率设置为0~10W。