[发明专利]沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置无效
| 申请号： | 201210160259.3 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103424414A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘昌岭;胡高伟;程军;业渝光;张剑 | 申请（专利权）人： | 青岛海洋地质研究所 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 巩同海 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积物 水合物 微观 状态 ct 原位 探测 装置 | ||
1.一种沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，包括压力控制系统、半导体控温系统、高压釜、X-CT扫描系统，压力控制系统与高压釜连通，半导体控温系统设置在高压釜底端，X-CT扫描系统设置在高压釜的两侧。
2.根据权利要求1所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，压力控制系统包括气瓶（1）、阀门（2）、增压设备（3）、管路（16），气瓶（1）依次通过阀门（2）、增压设备（3）、管路（16）与高压釜连通。
3.根据权利要求1所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，管路（16）上设有压力传感器（4），压力传感器（4）连接数据采集器（15）。
4.根据权利要求1所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，半导体控温系统包括温度传感器（11）、半导体制冷块（13）、控温装置（14），温度传感器（11）、半导体制冷块（13）设置在高压釜内并分别与控温装置（14）连接，半导体制冷块（13）的两侧设有散热片（17）。
5.根据权利要求4所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，散热片（17）上连接风扇（12）。
6.根据权利要求2所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，高压釜包括釜体（18），釜体（18）顶端设有釜盖（6），管路（16）穿过釜盖（6）后与釜体（18）连通。
7.根据权利要求6所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，釜体（18）的外侧包裹真空隔热层（7）。
8.根据权利要求6所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，釜盖（6）上设有O形密封圈（5）。
9.根据权利要求1所述的沉积物中水合物微观赋存状态的CT原位探测装置，其特征在于，X-CT扫描系统包括X射线源（10）、平板探测器（8），X射线源（10）、平板探测器（8）分别位于高压釜的两侧。
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