[发明专利]半导体外延生长衬底

权利要求书

1.一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，所述的生长衬底的第一主表面具有沟槽，在所述的沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，所述的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖所述的沟槽的底面，所述的沟槽把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的第一主表面暴露。

2.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层包括，二氧化硅覆盖层，氮化硅覆盖层。

3.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的沟槽的宽度大于等于2倍的预计的后续生长的外延层的厚度。

4.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的子区域的形状包括，多边形、圆形、环形、不规则形状、不规则环形状，以及所述的多边形、所述的圆形、所述的环形、所述的不规则形、所述的不规则环形状的组合。

5.根据权利要求4的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的子区域的多边形状包括，三角形、正方形、长方形、平行四边形、五边形、六边形、八边形。

6.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的沟槽的俯视形状包括，直线形状、圆弧形状、曲线形状、不规则形状，以及所述的直线形状、所述的圆弧形状、所述的曲线形状、所述的不规则形状的组合；所述的沟槽的俯视形状的组合包括，至少两个相同形状的所述的沟槽，或者，至少两个不相同形状的所述的沟槽。

7.根据权利要求5的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的生长衬底具有一个平边；所述的沟槽的俯视形状由下述的至少一个元素组成，所述的元素包括：与所述的平边平行的直线、与所述的平边垂直的直线、与所述的平边成非90度非0度的角度的斜线、圆弧、曲线，以及所述的与所述的平边平行的直线、所述的与所述的平边垂直的直线、所述的斜线、所述的圆弧、所述的曲线的组合。

8.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的生长衬底进一步包括边缘沟槽，所述的边缘沟槽形成在所述的生长衬底的圆周的边缘；所述的边缘沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖边缘沟槽的底面。

9.根据权利要求8的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的边缘沟槽的俯视形状包括，圆弧形状和直线形状的组合、不规则形状。

10.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，所述的生长衬底包括，氮化镓生长衬底、碳化硅生长衬底、蓝宝石生长衬底、硅生长衬底、石墨生长衬底、氧化铝陶瓷生长衬底、氮化铝陶瓷生长衬底、玻璃生长衬底、氧化镓生长衬底、氧化锌生长衬底。

11.根据权利要求1的划分成子区域的生长衬底，其特征在于，制造权利要求1的划分成子区域的生长衬底的方法是从一组制造方法中选出，一组制造方法包括，(1)先进行切割工艺步骤、再进行磨薄工艺步骤、然后进行形成沟槽和氧化物覆盖层或氮化物覆盖层工艺步骤、最后进行抛光工艺步骤；(2)先进行切割工艺步骤、再进行形成沟槽和氧化物覆盖层或氮化物覆盖层工艺步骤、然后进行磨薄工艺步骤、最后进行抛光工艺步骤。