[发明专利]一种形成钨塞的方法无效
| 申请号： | 201210158832.7 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709229A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 | ||
1.一种形成钨塞的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一硅衬底的上表面上依次制备刻蚀停止层和层间介质层，沉积非晶碳层覆盖所述层间介质层的上表面，沉积介质抗反射层覆盖所述非晶碳层的上表面；
步骤S2：光刻、刻蚀所述介质抗反射层、非晶碳层、层间介质层和刻蚀阻挡层至所述硅衬底的上表面形成接触孔；其中，所述介质抗反射层被去除，暴露的非晶碳层被部分去除；
步骤S3：沉积阻挡层覆盖剩余非晶碳层的上表面和所述接触孔的底部及其侧壁后，继续填充钨充满接触孔；
步骤S4：采用化学机械研磨工艺去除部分钨至剩余非晶碳层的上表面后，去除所述剩余非晶碳层。
2.根据权利要求1所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述硅衬底为已经形成底层器件结构的硅片。
3.根据权利要求2所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为200-500A。
4.根据权利要求2所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为氮化硅。
5.根据权利要求4所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述层间介质层的厚度为2000-8000A。
6.根据权利要求4所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述层间介质层包括高深宽比二氧化硅层和采用四乙基氧化硅制备的二氧化硅层，所述高深宽比二氧化硅层覆盖所述刻蚀停止层的上表面，所述采用四乙基氧化硅制备的二氧化硅层覆盖所述高深宽比二氧化硅层的上表面。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的形成钨塞的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺沉积所述非晶碳层和所述介质抗反射层。
8.根据权利要求7所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述光刻工艺中形成光阻，并以所述光阻研磨进行刻蚀工艺形成接触孔后，采用不含氧的氢气与氮气的混合气体去除剩余的光阻。
9.根据权利要求8所述的形成钨塞的方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为钛和氮化钛。
10.根据权利要求9所述的形成钨塞的方法，其特征在于，采用含氧的等离子体去除所述剩余非晶碳层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210158832.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：动力电池包冷却装置
- 下一篇：含重组蛋白混合物的牛结核病检测试剂
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
