[发明专利]基板处理装置、基板保持装置及基板保持方法有效
申请号: | 201210158626.6 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN102903658A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 水端稔 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 保持 方法 | ||
技术领域
本发明涉及保持半导体基板、印刷基板、滤色用基板、液晶显示装置和等离子显示装置的平板显示器用玻璃基板、光盘用基板、太阳能电池用面板等各种基板(下面,简称为“基板”)的技术。
背景技术
在对基板实施各种处理(例如,向形成在基板上的感光材料照射光,将各种涂敷液涂敷在基板上等)的各种基板处理装置(例如,参照专利文献1),或者用于移送基板的基板搬运装置等中需要保持基板的技术。
关于该技术,例如在专利文献2、3中,公开了使用真空吸嘴来吸附保持基板的下表面侧的结构。另外,例如在专利文献4至7中公开了如下的结构:使用应用了伯努利(Bernouilli)原理的伯努利嘴(通过从形成在保持面上的孔喷出气体来利用伯努利效应吸附基板的嘴)来吸附保持基板。另外,例如在专利文献8中公开了一边利用伯努利嘴来抬起基板一边利用真空吸嘴进行固定以不使基板移动的结构。另外,例如在专利文献9中公开了并用伯努利嘴和真空吸嘴来吸附保持基板的结构。
专利文献1:日本特开平5-150175号公报
专利文献2:日本特开2008-270626号公报
专利文献3:日本特开2005-19637号公报
专利文献4:日本特开2009-28863号公报
专利文献5:日本特开2005-142462号公报
专利文献6:日本特开2002-64130号公报
专利文献7:日本特开2010-52051号公报
专利文献8:日本特开2004-193195号公报
专利文献9:日本特开2006-80289号公报
例如,在通过向形成在基板上的感光材料照射光来在基板上形成电路等的图案的描画装置等中,若在处理过程中基板相对于保持面发生错位则会降低描画精度。因此,需要可靠地对载置在保持面上的基板进行保持,以免发生错位。
但是,基板在载置在保持面上的状态下,并不一定是平坦形状。例如,利用在保持面上载置了基板的搬运装置的手部来支撑基板的中央附近的情况下,载置在保持面上的基板可能会弯曲成凸形状。另外,在该搬运装置的手部支撑基板的外缘的情况下,载置在保持面上的基板可能会弯曲成凹形状。近年来,随着基板的薄型化,基板非常容易弯曲,因而在载置在保持面上的状态下,基板弯曲的可能性非常高。
如在上述各专利文献2至9公开的结构那样,通过在基板和保持面之间形成负压来将基板吸附保持在保持面上的方式中,要可靠地保持弯曲的基板则非常难。这是因为,在载置在保持面上的基板发生了弯曲的情况下,在基板的背面的一部分与保持面之间产生间隙,该间隙会破坏负压。若在保持面和基板的背面之间不能形成足够的吸引压(suction force),则会产生吸附不良,从而基板相对于保持面发生错位的可能性会变高。另一方面,若要不发生这样的吸附不良而可靠地吸附保持基板,则需要对基板施加非常大的吸引力,因此需要设置例如大型真空泵及大规模的配管系统等,从而不可避免装置的大型化和成本上升等。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而作出的,其目的在于提供即使是弯曲的基板也能够以简单的结构可靠地保持的技术。
第一技术方案是一种用于对基板实施规定的处理的基板处理装置,该基板处理装置具有:保持板,形成有与基板的背面相向的保持面,一个以上的真空吸引口,形成在所述保持面上,通过真空吸引来将所述基板吸引在所述保持面上,多个伯努利吸引口,形成在所述保持面上,通过伯努利吸引来将所述基板吸引在所述保持面上;在所述保持面上规定有配置成与所述保持面的中心同心的圆形区域和配置成与所述圆形区域同心的圆环状区域,在所述圆形区域和所述圆环状区域分别配置有所述伯努利吸引口。
第二技术方案的基板处理装置,在第一技术方案所涉及的基板处理装置中,还具有:堤部,沿着所述保持面的外缘立起设置,多个突起部,立起设置在被所述堤部包围的所述保持面内的区域;所述堤部的顶部和所述多个突起部的顶部位于同一平面内。
第三技术方案的基板处理装置,在第一技术方案或第二技术方案所涉及的基板处理装置中,在所述圆环状区域配置有多个所述伯努利吸引口;配置在所述圆环状区域的多个伯努利吸引口沿着所述圆环状区域的周向排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造