[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

栅沟槽，延伸进入外延层；

栅极，置于所述栅沟槽中；

源极区，掺杂有掺杂物并邻近所述栅沟槽的侧壁；

导电材料，置于所述栅极上方的所述栅沟槽中并通过所述栅沟槽的所述侧壁与所述源极区电性接触；以及

隔离层，置于所述栅极和所述导电材料之间。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述隔离层是包括压差式填充的电介质层。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

置于所述外延层中的主体区，所述主体区掺杂有与所述源极区的掺杂物具有相反传导类型的掺杂物；

至少一个导电保护电极，置于所述栅极之下的所述栅沟槽中；

多晶硅层间介质体，置于所述栅极与所述至少一个导电保护电极之间；以及

栅电介质层，将所述栅极与所述主体区隔离开。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述导电材料包括多晶硅，

所述场效应晶体管进一步包括：

在衬底之上的漂移区，所述漂移区掺杂有与所述源极区的掺杂物具有相同传导类型的掺杂物。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述导电材料具有与所述源极区的顶部表面基本共平面的顶部表面。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

衬底，置于所述外延层之下；以及

漂移区，包括在所述外延层中并置于所述衬底之上，所述栅沟槽延伸穿过所述漂移区并在所述衬底内终止。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

衬底，置于所述外延层之下；以及

漂移区，包括在所述外延层中并置于所述衬底之上，所述栅沟槽延伸进入所述漂移区并在所述漂移区内终止。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

漂移区，置于衬底之上；以及

保护电极，置于栅沟槽中在所述栅极之下，并且与所述漂移区和所述衬底竖直重叠。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

漂移区，置于衬底之上；以及

保护电极，置于栅沟槽中在所述栅极之下，并且与沿着所述漂移区和所述衬底之间的界面对齐的平面相交。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述栅极是凹陷的栅极。

11.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

顶部金属，与所述源极区和所述导电材料接触。

12.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述源极区具有沿所述栅沟槽的所述侧壁延伸的竖直长度和与所述竖直长度垂直延伸的侧向宽度，所述竖直长度大于所述侧向宽度。

13.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述栅极是凹陷的栅极，具有与沿所述栅沟槽的所述侧壁的所述源极区的竖直长度对应的顶部表面。

14.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

通道增强区，与所述栅沟槽的所述侧壁接触。

15.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

通道增强区，构造成降低沿着所述栅沟槽侧壁的通道区的电阻。

16.根据权利要求1所述的场效应晶体管，进一步包括：

通道增强区，与所述栅沟槽的所述侧壁接触；

主体区，置于所述外延层中，所述主体区掺杂有与所述源极区的所述掺杂物具有相反传导类型的掺杂物；

保护电极，置于所述栅极之下；以及

保护电介质层，具有在所述主体区之下延伸的向外张开部分。

17.一种场效应晶体管，包括：

栅沟槽，延伸进入外延层；

栅极，置于所述栅沟槽中；

源极区，掺杂有掺杂物并邻近所述栅沟槽的侧壁；

第一隔离层，置于所述栅极的顶部上；

第二隔离层，置于所述栅极与所述栅沟槽的所述侧壁之间；以及

导电材料，置于所述栅沟槽中并通过所述栅沟槽的所述侧壁与所述源极区电性接触，所述导电材料与所述第一隔离层和所述第二隔离层接触。