[发明专利]垂直式交流发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.垂直式交流发光二极管器件，包括：

导电基板；

发光模块，位于所述导电基板之上，其包含两个水平并列且相互隔离的发光二极管，所述第一、第二发光二极管至上而下包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；所述第一发光二极管的第二半导体层与所述导电基板之间设有一第一绝缘层，实现相互隔离；所述第二发光二极管的第二半导体层与所述导电基板形成欧姆接触；

第一导电结构，连接所述第一发光二极管的第一半导体层、第二发光二极管第二半导体层及所述导电基板；

第二导电结构，连接所述第一发光二极管的第二半导体层与第二发光二极管的第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：在所述发光模块的出光面上有且只有一个电极结构，其与所述第二导电结构连接。

3.根据权利要求1所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述第一、第二发光二极管之间设有一第一沟道，在所述沟道的侧壁覆盖一第二绝缘层，中间填充导电材料形成导电柱。

4.根据权利要求3所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述导电柱的两端分别连接所述第一发光二极管的第二半导体层与第二发光二极管的第一半导体层，构成所述第二导电结构。

5.根据权利要求4所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：在所述导电基板与发光模块之间还设有欧姆接触层。

6.根据权利要求5所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述第二导电结构的两端分别与第二发光二极管的第一半导体层、所述欧姆接触层连接，实现所述第一发光二极管的第二半导体层与第二发光二极管的第一半导体层的连接。

7.根据权利要求1所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述发光模块通过一金属键合层与所述导电基板连接。

8.根据权利要求7所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述第一绝缘层位于所述金属键合层与所述第一发光二极管的第二半导体之间。

9.根据权利要求8所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述第一发光二极管设有一通道，其贯穿第二半导体层、发光层，底部位于第一半导体层，侧壁覆盖一层绝缘层，所述金属键合层完全覆盖所述发光模块的第二半导体层并填充所述通道，构成所述第一导电结构。

10.根据权利要求7所述的垂直式交流发光二极管器件，其特征在于：所述第一绝缘层位于所述导电基板上，通过所述金属键合层与发光模块粘结。

11.垂直式交流发光二极管器件的制作方法，包括步骤：

1）提供一生长衬底，在其上外延生长发光外延层，其至下而上包括第一半导体层，发光层和第二半导体层；

2）定义单个发光模块的大小，将所述发光外延层划分为若干个发光模块，每个发光模块包括一正向导通区域、一反向导通区域和位于两者之间的隔离区域；

3）制作第一导电结构，提供一导电基板，将所述发光外延层与导电基板连接；其中，所述反向导通区域的第二半导体层与所述导电基板之间设有一第一绝缘层，实现相互隔离；所述正向导电区域的第二半导体层与所述导电基板形成欧姆接触；第一导电结构连接所述反向导通区域的第一半导体层、正向导通区域的第二半导体层及所述导电基板；

4）移除生长衬底；

5）隔离正向导通区域、反向导通区域的发光外延层，形成第一发光二极管和第二发光二极管，其中第一发光二极管对应所述反向导通区域，第二发光二极管对应所述正向导能区域；

6）制作第二导电结构，其连接所述第一发光二极管的第二半导体层与第二发光二极管的第一半导体层。

12.根据权利要求11所述的垂直式交流发光二极管器件的制作方法，其特征在于：还包括如下步骤：在所述发光外延层的第二半导体层之上形成一图形化欧姆接触层，其覆盖前述每个发光模块的正向导通区域、反向导通区域和靠近反向导通区域一侧的部分隔离区域。