[发明专利]荧光透明陶瓷LED封接结构及其封接方法无效
申请号: | 201210156768.9 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102709452A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 高鞠;王媛 | 申请(专利权)人: | 苏州晶品光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 江苏省苏州市吴江汾湖经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 透明 陶瓷 led 结构 及其 方法 | ||
1.荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:该LED封接结构包括两片平面式透明荧光氧化物基板(4)和一个以上LED芯片(1),至少在其中一个氧化物基板(4)的正面设置导电图案(2),在导电图案(2)上预留有LED结合区,LED芯片(1)排布在LED结合区上,其两面分别与两个氧化物基板(4)的正面贴合,两个氧化物基板(4)之间的间隙填充满隔离胶(3)。
2.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:所述LED芯片(1)为正装LED芯片或倒装LED芯片;当LED芯片(1)为正装LED芯片并采用跳线接线方式或LED芯片(1)为倒装LED芯片时,在其中一个氧化物基板(4)的正面设置导电图案(2);当LED芯片(1)为正装LED芯片并采用非跳线接线方式时,在两个氧化物基板(4)的正面设置位置相对应的导电图案(2)。
3.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:所述氧化物基板(4)的材质为掺杂有荧光物质的单晶或者多晶陶瓷材料。
4.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:所述氧化物基板(4)的材质为掺杂有荧光物质的钇铝石榴石。
5.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:所述导电图案(2)通过镀膜或者印刷方式涂覆在氧化物基板(4)上。
6.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:在导电图案(2)上通过印刷阻焊剂划定出LED结合区。
7.根据权利要求1所述的荧光透明陶瓷LED封接结构,其特征在于:所述隔离胶(3)为硅胶或树脂。
8.荧光透明陶瓷LED封接结构的封接方法,其特征在于:该封接方法包括如下步骤:
(1)通过陶瓷成型和烧结工艺制备两片透明荧光氧化物基板(4);
(2)根据LED芯片(1)的结构和接线方式在氧化物基板(4)的正面涂覆导电图案(2);
(3)在导电图案(2)上印刷阻焊剂划定出LED结合区;
(4)对氧化物基板(4)的正面进行抛光处理;
(5)将LED芯片(1)放置在其中一个氧化物基板(4)的正面上,确保LED芯片(1)排布在LED结合区上;
(6)在步骤(5)中的氧化物基板(4)的正面填充隔离胶(3),确保隔离胶(3)分布在LED芯片(1)之间的间隙内;
(7)将另一片氧化物基板(4)覆盖在LED芯片(1)上,使LED芯片(1)的两面分别与两个氧化物基板(4)的正面贴合,调整好相对位置;
(8)在两侧分别使用激光直接穿过氧化物基板(4),将LED芯片(1)的两面分别固定在两个氧化物基板(4)的正面上;
(9)将步骤(8)获得的结构进行整版烘烤以固化,形成荧光透明陶瓷LED封接结构。
9.根据权利要求8所述的荧光透明陶瓷LED封接结构的封接方法,其特征在于:所述步骤(6)中的隔离胶(3)为整片式结构,其对应LED芯片(1)的位置为镂空结构。
10.根据权利要求8所述的荧光透明陶瓷LED封接结构的封接方法,其特征在于:所述步骤(9)中,烘烤时间为0.5~6h,烘烤温度为25~150℃。
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