[发明专利]多晶硅薄膜检查方法及其装置无效

专利信息
申请号: 201210156664.8 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN102788805A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 吉武康裕;山口清美;岩井进 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: G01N21/896 分类号: G01N21/896
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;郭凤麟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 多晶 薄膜 检查 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种多晶硅薄膜检查装置,其具备基板装载部、基板检查部、基板卸载部以及全体控制部,该多晶硅薄膜检查装置的特征在于,

所述基板检查部具备:

第一照明单元,其从第一方向对在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射第一波长的光;

第二照明单元,其从第二方向对所述基板的通过所述第一照明单元被照射了所述第一波长的光的区域照射第二波长的光;

第一摄像单元,其拍摄从所述基板在第三方向上产生的基于所述第一波长的光的第一一次衍射光的光学图像,所述基板通过所述第一照明单元和所述第二照明单元被照射了第一波长的光和所述第二波长的光;

第二摄像单元,其拍摄从所述基板在第四方向上产生的基于所述第二波长的光的第二一次衍射光的光学图像,所述基板通过所述第一照明单元和所述第二照明单元被照射了第一波长的光和所述第二波长的光;以及

信号处理/判定单元,其对通过所述第一摄像单元拍摄所述第一一次衍射光的光学图像而得的信号和通过所述第二摄像单元拍摄所述第二一次衍射光的光学图像而得的信号进行处理,判定在所述基板上形成的多晶硅膜的结晶的状态。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,

所述第一照明单元具备发射第一波长的光的第一光源部;以及将从该第一光源部发射的第一波长的光会聚在一个方向上,形成线形光,来照射所述基板的第一柱面透镜,所述第二照明单元具备发射第二波长的光的第二光源部;以及将从该第二光源部发射的第二波长的光会聚在一个方向上,形成线形光,来照射所述基板的第二柱面透镜。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,

所述第一照明单元和所述第二照明单元共有发射包含所述第一波长的光和所述第二波长的光的多波长的光的光源部,所述第一照明单元具备对从所述光源部发射的多波长的光中的所述第一波长的光进行反射,使其它波长的光透过的第一分色镜;以及将通过该第一分色镜反射的所述第一波长的光会聚在一个方向上,形成线形光来照射所述基板的第一柱面透镜,所述第二照明单元具备对从所述光源部发射的多波长的光中的透过了所述第一分色镜的光中的第二波长的光进行反射,使其它波长的光透过的第二分色镜;以及将通过该第二分色镜反射的所述第二波长的光会聚在一个方向上,形成线形光来照射所述基板的第二柱面透镜。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,

以所述第一方向相对于所述基板的表面的法线方向的角度大于所述第二方向相对于所述基板的表面的法线方向的角度的方式配置所述第一照明单元和所述第二照明单元,以所述第三方向相对于所述基板的表面的法线方向的角度小于所述第四方向相对于所述基板的表面的法线方向的角度的方式配置所述第一摄像单元和所述第二摄像单元。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,

所述第一波长的光的波长比所述第二波长的光的波长短。

6.一种多晶硅薄膜检查装置,其具备基板装载部、基板检查部、基板卸载部以及全体控制部,该多晶硅薄膜检查装置的特征在于,

所述基板检查部具备:

照明单元,其对在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射光;

第一摄像单元,其拍摄从通过所述照明单元被照射了光的所述基板在第一方向产生的第一一次衍射光的光学图像;

第二摄像单元,其拍摄从通过所述照明单元被照射了光的所述基板在第二方向产生的第二一次衍射光的光学图像;以及

信号处理/判定单元,其对通过所述第一摄像单元拍摄所述第一一次衍射光的光学图像而得的信号和通过所述第二摄像单元拍摄所述第二一次衍射光的光学图像而得的信号进行处理,判定在所述基板上形成的多晶硅膜的结晶状态。

7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,

所述第一摄像单元具备使第一波长的光透过而遮断其它波长的光的第一波长选择滤波器,拍摄基于透过了该第一波长选择滤波器的第一波长的光的所述第一一次衍射光的光学图像,所述第二摄像单元具备使第二波长的光透过而遮断其它波长的光的第二波长选择滤波器,拍摄基于透过了该第二波长选择滤波器的第二波长的光的所述第二一次衍射光的光学图像。

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