[发明专利]层状二硼化镁晶体组织及合成方法无效
| 申请号： | 201210156413.X | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102718230A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 马宗青;刘永长;蔡奇;姜华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层状 二硼化镁 晶体 组织 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种层状二硼化镁晶体组织，其特征是六方的MgB2晶体在c轴方向上呈现出层状排列；在X射线图谱上，Cu粉的添加在低温烧结条件下形成了宽化的液相峰，Mg-Cu共晶液相，使MgB2晶粒的形核-长大环境由原来的完全固相变成局部液相；其c轴方向上晶面衍射峰的相对强度高于传统烧结合成的随机排列的MgB2晶体组织c轴方向上晶面衍射峰强度；在c轴上的相对织构度达到12%以上。
2.权利要求1的层状二硼化镁晶体组织MgB2晶体组织合成方法，其特征是将Mg粉、Cu粉和B粉按Mg：Cu：B=1：0.04~0.10：2的原子比例在玛瑙研钵或行星式球磨机中充分混合和研磨20~60分钟，然后在2~10MPa的压力下制成薄片,最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结，升温速率10~40℃/min，升至500~600℃后，在此温度保温烧结2~10个小时，然后以10~40℃/min的冷却速度降至室温。
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