[发明专利]薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法无效
申请号: | 201210156369.2 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN103426626A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 张怀禄;张育嘉;谢明峰;许秀美;傅国荣 | 申请(专利权)人: | 佳邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/04 | 分类号: | H01F41/04 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 元件 制备 方法 及其 滤波器 | ||
技术领域
本发明关于一种薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法,特别是关于一种采用干式聚亚酰胺膜形成绝缘层的薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法。
背景技术
在薄膜元件中,聚亚酰胺膜已广泛地作为绝缘层,用以电气隔离不同层次的导电图案。在现有技术中,形成聚亚酰胺膜的方法一般采用旋转涂布技术,并期望形成的聚亚酰胺膜具有均匀的厚度。
图1及图2例示现有的薄膜元件10的制备方法。参考图1,现有技术进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第一导电图案13于一基板11上。之后,现有技术进行旋转涂布及热处理等工艺以形成一第一绝缘层15于该第一导电图案13上。
参考图2,现有技术进行沉积、微影、电镀及蚀刻等工艺以形成一第二导电图案17于该第一绝缘层15上。之后,现有技术进行旋转涂布及热处理等工艺以形成一第二绝缘层19于该第二导电图案17上而完成该薄膜元件10。
现有技术以旋转涂布技术形成的第一绝缘层15虽然可以电气隔离该第一导电图案13及该第二导电图案17。然而,旋转涂布技术形成的第一绝缘层15的表面并不平整,增加后续用以制备该第二导电图案17的微影工艺的对位难度,因而影响该第二导电图案17的位置。此外,该第一绝缘层15在该第一导电图案13及该第二导电图案17之间的厚度并不均匀,因而影响该薄膜元件10的电气特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用干式聚亚酰胺膜形成绝缘层的薄膜元件的制备方法及其共模滤波器的制备方法。
本发明提供的薄膜元件的制备方法,包含下列步骤:形成至少一第一导电图案于一基板上;置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上;施加一力量于该干式聚亚酰胺膜,使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙;以及形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。
本发明提供的共模滤波器的制备方法,包含下列步骤:形成至少一第一导电图案于一基板上;置放一干式聚亚酰胺膜于该第一导电图案上;施加一力量于该干式聚亚酰胺膜,使得该干式聚亚酰胺膜填入该第一导电图案的空隙;以及形成至少一第二导电图案于该干式聚亚酰胺膜上。
上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点,以使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的申请专利权利要求范围标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域中技术人员应了解,可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中技术人员亦应了解,这类等效建构无法脱离所附的申请专利权利要求范围所界定的本发明的精神和范围。
附图说明
藉由参照前述说明及下列图式,本发明的技术特征及优点得以获得完全了解。
图1及图2例示现有的薄膜元件的制备方法;
图3至图8例示本发明一实施例的薄膜元件的制备方法;
图9至图18例示本发明一实施例的共模滤波器的制备方法;以及
图19至图27例示本发明另一实施例的共模滤波器的制备方法。
其中,附图标记说明如下:
10 薄膜元件;
11 基板;
13 导电图案;
15 第一绝缘层;
17 导电图案;
19 第二绝缘层;
23 弹性体;
25 力量;
30 薄膜元件;
31 基板;
33A-33C 第一导电图案;
35 间隙;
37 干式聚亚酰胺膜;
39 孔洞;
41 连接件;
43A-43C 第二导电图案;
45 间隙;
47 干式聚亚酰胺膜;
100 共模滤波器;
111 磁性基板;
113 第一引线层;
114 第一线圈层;
1141 间隙;
115 第二线圈层;
1151 间隙;
116 第二引线层;
117 磁性材料层;
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