[发明专利]三结叠层GaAs激光光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、N型窗口层以及GaAs接触层。

2.根据权利要求1所述的三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，进一步包括隔离槽，所述隔离槽为从接触层向衬底方向贯穿，直至显露出衬底，并且所述隔离槽中填充有氧化硅或聚酰亚胺胶。

3.根据权利要求1所述的三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，所述第一隧穿结、第二隧穿结和第三隧穿结均包括按照远离衬底方向依次生长的N型(Al)GaAs((Al)GaInP)层、N型GaAs(Ga_0.51In_0.49P)层、P型(Al)GaAs层和P型AlGaAs((Al)GaInP)层。

4.根据权利要求1所述的三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，所述底电池、中电池和顶电池均为基于GaAs的PN结电池，且所述底电池、中电池和顶电池各自的P区、N区均依次远离衬底。

5.根据权利要求2所述的三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，进一步包括正电极窗口，所述正电极窗口为从接触层往导电层方向贯穿，直至显露出导电层。

6.根据权利要求1所述的三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，进一步包括材料为ZnSe/MgF或TiO₂/SiO₂的减反射膜，置于所述窗口层的裸露表面上。

7.一种如权利要求1所述的三结叠层GaAs激光光伏电池制备方法，其特征在于，包括步骤：（1）提供GaAs衬底；（2）在衬底上依次生长N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层与GaAs接触层。

8.根据权利要求7所述的三结叠层GaAs激光光伏电池的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤：（3）采用干法或湿法刻蚀方法从接触层向衬底方向刻蚀，直至显露出衬底表面，形成隔离槽；（4）在隔离槽中填充氧化硅或聚酰亚胺胶。

9.根据权利要求8所述的三结叠层GaAs激光光伏电池的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤：（5）采用干法或湿法刻蚀方法从接触层往导电层方向刻蚀，直至显露出导电层，形成正电极窗口。

10.根据权利要求7所述的三结叠层GaAs激光光伏电池的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤：采用干法或湿法刻蚀方法刻蚀指定区域的GaAs接触层，直至裸露出窗口层的表面；在窗口层的裸露表面上生长减反射膜，所述生长减反射膜的方法为化学气相淀积、蒸发和溅射中任意一种。