[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底和包括其的有机发光显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列衬底，包括：

薄膜晶体管，设置在衬底上，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极；

电容器，包括i）设置在与所述有源层相同层上的下部电极以及ii）设置在与所述栅电极相同层上的上部电极；

像素电极，设置在与所述栅电极和所述上部电极相同的层上，其中所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个；

第一绝缘层，设置在所述有源层与所述栅电极之间并且在所述电容器的所述下部电极与所述上部电极之间，其中所述下部电极的至少一部分没有被所述第一绝缘层覆盖；

第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层与所述源电极和所述漏电极之间，其中所述上部电极和所述下部电极的至少一部分没有被所述第二绝缘层覆盖；以及

第三绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极，其中所述像素电极的至少一部分没有被所述第三绝缘层覆盖。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述有源层和所述下部电极中的每一个均由掺杂有离子杂质的半导体材料形成。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述栅电极包括i）由透明传导材料形成的第一层以及ii）由金属形成的第二层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述像素电极和所述上部电极中的每一个均由透明传导材料形成。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述透明传导材料包括选自由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化镓铟（IGO）以及氧化锌铝（AZO）构成的组中的至少一种。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括相同的蚀刻表面。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中在所述蚀刻表面与所述下部电极之间形成间隙。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述第三绝缘层设置在所述间隙中。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中在插入所述上部电极与所述下部电极之间的所述第一绝缘层的所述蚀刻表面上形成阶梯形部分。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述第三绝缘层直接接触没有设置所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的、所述下部电极的周边。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个均由有机绝缘材料形成。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述第三绝缘层由有机绝缘材料形成。

13.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中排线设置在与所述下部电极相同的层上并且连接到所述下部电极，并且其中所述第一绝缘层没有形成在所述下部电极与所述排线彼此连接的连接部分上。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中所述排线和所述连接部分中的每一个均由掺杂有离子杂质的半导体材料形成。

15.一种有机发光显示器，包括：

薄膜晶体管，设置在衬底上，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极；

电容器，包括i）设置在与所述有源层相同层上的下部电极以及ii）设置在与所述栅电极相同层上的上部电极；

像素电极，设置在与所述栅电极和所述上部电极相同的层上，其中所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个；

第一绝缘层，设置在所述有源层与所栅电极之间并且在所述下部电极与所述上部电极之间，其中所述下部电极的至少一部分没有被所述第一绝缘层覆盖；

第二绝缘层，在所述第一绝缘层与所述源电极和所述漏电极之间，其中所述上部电极和所述下部电极的至少一部分没有被所述第二绝缘层覆盖；

第三绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极，其中所述像素电极的至少一部分没有被所述第三绝缘层覆盖；

有机发射层，设置在所述像素电极上；以及

相对电极，设置在所述有机发射层上。