[发明专利]3D发光二极体显示装置有效
| 申请号： | 201210154334.5 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102769108A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 吴龙海;郭真宽;邓建甫 | 申请（专利权）人： | 明基材料有限公司;明基材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215121 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 显示装置 | ||
1.一种3D发光二极体显示装置，其特征在于该3D发光二极体显示装置包含:
透明基板；
阳极，该阳极设置于该基板的一侧；
发光结构层，该发光结构层设置于该阳极之上；
阴极，该阴极设置于该发光结构层之上，该阴极接触该发光结构层的表面具有复数个第一区域及复数个第二区域，该复数个第一区域与该复数个第二区域的宽度分别对应子像素单元的宽度，且该第一区域具有复数个第一平行微沟槽，该第二区域具有复数个第二平行微沟槽，该第一区域与该第二区域相互平行间隔排列；以及
相位延迟膜，该相位延迟膜设置于该透明基板的另一侧，且含有至少一个相位延迟值。
2.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于该第一平行微沟槽的长度方向与该第二平行微沟槽的长度方向平行。
3.如权利要求2所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于该第一平行微沟槽的长度方向与该复数个第一区域以及该复数个第二区域的排列方向的夹角为90度。
4.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于该第一平行微沟槽的长度方向与该第二平行微沟槽的长度方向垂直。
5.如权利要求4所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于该第一平行微沟槽的长度方向与该复数个第一区域以及该复数个第二区域的排列方向的夹角为45度，该第二平行微沟槽的长度方向与该排列方向的夹角为135度。
6.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于各该第一平行微沟槽的宽度与各该第二平行微沟槽的宽度介于1微米至100微米之间。
7.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于各该第一平行微沟槽的高度与各该第二平行微沟槽的高度介于100纳米至1微米之间。
8.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于相邻的两个该第一平行微沟槽的间距与相邻的两个该第二平行微沟槽的间距介于1微米至100微米之间。
9.如权利要求1所述的3D发光二极体显示装置，其特征在于该相位延迟膜具有1/4相位延迟值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
