[发明专利]一种场发射器件用发光元件无效
| 申请号： | 201210153425.7 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426703A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王荣;陈贵堂 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J29/92 | 分类号： | H01J29/92 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发射 器件 发光 元件 | ||
1.一种场发射器件用发光元件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极基板、发光层和金属层，所述金属层上设有若干彼此连接且均匀分布的微结构。
2.根据权利要求1所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述阳极基板为ITO透明导电玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述发光层为荧光粉层、发光玻璃、发光陶瓷、发光透明陶瓷、发光玻璃陶瓷或发光薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述金属层由金、银、铜、铂、钯中的任一种制成。
5.根据权利要求1或4所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述金属层通过溅射或蒸镀工艺形成于所述发光层的表面。
6.根据权利要求5所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为0.5nm~20nm。
7.根据权利要求6所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为1nm~10nm。
8.根据权利要求1所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述微结构通过蚀刻工艺形成于所述金属层上。
9.根据权利要求1或8所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述两相邻微结构之间的距离50nm~10000nm。
10.根据权利要求9所述的一种场发射器件用发光元件，其特征在于，所述微结构的横截面是半径为5~100nm的圆形、或边长为5~100nm的三角形、或边长为5~100nm的方形。
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