[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式外延外基区双极晶体管，至少包括集电区、所述集电区上的基区和外基区、所述基区上的发射极、以及所述发射极两侧的侧墙，其特征在于：所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。

2.根据权利要求1所述的嵌入式外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区的一部分位于所述侧墙的下方。

3.根据权利要求1所述的嵌入式外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区在所述基区上产生应力。

4.一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法的至少包括下述步骤：

4.1制备第一掺杂类型的集电区；

4.2在所得结构上制备第二掺杂类型的基区；

4.3在基区上依次制备第一介质层；

4.4光刻、刻蚀去除所述第一介质层的裸露部分形成牺牲发射极；

4.5刻蚀未被牺牲发射极覆盖的基区，刻蚀厚度大于基区的厚度；

4.6在刻蚀所得的结构上制备第二掺杂类型的外基区；

4.7淀积第二介质层形成平坦表面，暴露牺牲发射极的上表面；

4.8去除部分表层牺牲发射极，得到窗口；在所述窗口的内侧壁制备内侧墙结构；

4.9去除未被内侧墙覆盖的牺牲发射极；

4.10淀积多晶层；

4.11去除步骤4.10中的多晶层和步骤4.7中第二介质层的边缘部分，形成发射极；

4.12在外基区和发射极表面淀积金属，形成金属硅化物；

4.13在所得结构上制备接触孔，引出发射极电极和基区电极。

5.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.2中制备基区的材质是硅、锗硅或者掺碳锗硅。

6.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.3中第一介质层为复合介质层，所述复合介质层包括淀积在基区表面的氧化硅层和淀积在氧化硅层表面的氮化硅层。

7.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.5中刻蚀基区时向侧墙下方进行钻蚀。

8.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.6中的外基区使用外延生长方法制备，外基区的材质是硅，或者是锗硅，或者是掺碳锗硅；杂质的掺杂浓度在1E19～1E21cm^-3。

9.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.12中淀积的金属是钛、钴或镍中的一种。