[发明专利]嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式外延外基区双极晶体管，至少包括集电区、所述集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及在所述发射极两侧的侧墙，其特征在于，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。

2.根据权利要求1所述的嵌入式外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区的一部分位于所述侧墙的下方。

3.根据权利要求1所述的嵌入式外延外基区双极晶体管，其特征在于，所述外基区在所述基区上产生应力。

4.一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法的至少包括下述步骤：

4.1制备第一掺杂类型的集电区；

4.2在所得结构上制备第二掺杂类型的基区；

4.3在所得结构上依次淀积第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；

4.4在第二氧化硅层和氮化硅层上开设窗口；

4.5去除窗口中的第一氧化硅层，暴露基区，形成发射极窗口；

4.6在所得结构上淀积多晶层；

4.7对所得结构进行平坦化加工，暴露第二氧化硅层；

4.8去除第二氧化硅层和未被多晶层覆盖的氮化硅层；

4.9在多晶层的侧面制备第一侧墙，去除未被第一侧墙覆盖的第一氧化硅层；

4.10刻蚀未被覆盖的基区部分，刻蚀厚度大于基区的厚度；

4.11在基区被刻蚀所得的结构上制备第二掺杂类型的外基区；

4.12淀积介质层，在第一侧墙的外侧形成第二侧墙；

4.13在所得结构上淀积金属层，在外基区形成金属硅化物，在多晶层上形成形成金属硅化物；

4.14在所得结构上制备接触孔，引出发射极电极和基区电极。

5.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.2中制备基区的材质是硅或者是锗硅。

6.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.10中刻蚀基区时向侧墙下方进行钻蚀。

7.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.11中的外基区使用外延生长方法制备，外基区的材质是硅，或者是锗硅，或者是掺碳锗硅；杂质的掺杂浓度在1E19～1E21cm^-3。

8.根据权利要求4所述的嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.13中淀积的金属是钛、钴或镍中的一种。