[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征是：所述N型衬底是低阻值衬底。

3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征是：所述P型外延层厚度为6um～12um。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征是：所述深P阱和P型隔离阱具有硼杂质。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征是：所述P型注入区具有硼杂质。

6.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征是：所述N型注入区是重掺杂注入区，具有砷或磷杂质。

7.一种瞬态电压抑制器的制造方法,包括：

（1）在N型衬底上生长P型外延层；

（2）进行杂质注入形成深P阱；

（3）进行杂质注入形成P型隔离阱；

（4）进行热退火推进，使深P阱和P型隔离阱与N型衬底接触；

（5）进行杂质注入，形成两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区；

（6）进行杂质注入，形成在P型注入区上方的N型注入区；

（7）进行杂质注入，在深P阱中形成N型注入区；

（8）将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区通过引线引出作为抑制器的一端，将N型衬底通过引线接出作为抑制器的另一端。

8.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（1），采用低阻N型衬底，生长P型外延层厚度为6um～12um。

9.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（2），注入杂质硼，注入剂量为1e¹²cm^-2～1e¹⁴cm^-2，能量为1500KeV～2000KeV。

10.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（3），重掺杂注入杂质硼，注入剂量为1e¹⁵cm^-2～1e¹⁶cm^-2，能量为100KeV～300KeV。

11.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（5），注入杂质硼，注入剂量为1e¹⁴cm^-2～1e¹⁶cm^-2，能量为30KeV～100KeV。

12.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（6），重掺杂注入杂质砷或磷，注入剂量为1e¹⁵cm^-2～1e¹⁶cm^-2，能量为20KeV～200KeV。

13.如权利要求7所述瞬态电压抑制器的制造方法，其特征是：实施步骤（7），重掺杂注入杂质砷或磷，2e¹⁵cm^-2～1e¹⁶cm^-2，能量为20KeV～200KeV。