[发明专利]互补金属氧化物半导体直流-直流变换器

说明书

技术领域

本公开内容的实施例总体上涉及直流-直流（DC-DC）变换器的领域，并且更具体地涉及互补金属氧化物半导体（CMOS）DC-DC变换器。

背景技术

直流-直流（DC-DC）变换器用于将直流源从一种电压电平变换成另一种电压电平。DC-DC变换器广泛用于诸如移动电话、个人数字助理（PDA）和膝上型电脑的便携式电子装置中，以将由电池提供的电压变换成由其它功能块使用的供电电压或者控制信号。

DC-DC变换器可以用来生成用于射频（RF）天线开关的控制信号。传统上，RF天线开关成对使用，其中，开关中的一个开关与RF信号串联，而另一个开关与RF信号分路。这些RF天线开关是使用砷化镓(GaAs）晶片中的耗尽型赝晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件来制造的。

这些pHEMT器件RF天线开关通过负栅极电压断开，并通过正栅极电压接通。如此，RF天线开关对需要互补的控制信号，以使得所述对中的器件之一接通而另一个器件断开。此外，电平偏移器用于将正电压参考和负电压参考转变成正栅极电压和负栅极电压，以确保恰当的电压电平被提供至RF天线开关的栅极。

目前，用以生成这种负电压参考的方法之一是在天线开关GaAs晶片中设计正电压倍压器并且使用大量的电容将该正电压变换成合适的负电压。这种设计使用大量的昂贵的GaAs晶片区域，这是因为互补的n型开关器件和p型开关器件在GaAs技术中是不可用的。另外，正电压倍压器设计由于仅使用一种类型的半导体器件获得功能所需要的额外电路以及作为pHEMT技术的产物的栅极泄露电流而导致大的漏极电流。此外，所生成的负电压的性能存在广泛的变化。这种变化负面影响了结合有这样的设计的天线开关模块的整体性能。

附图说明

在附图的图中以示例而非限制的方式示出了实施例，在附图中相似的附图标记表示类似的元件。

图1示意性示出了根据各种实施例的电路。

图2示出了根据各种实施例的时钟信号。

图3示意性示出了根据各种实施例的电路。

图4示出了并入图1和/或图3的电路的控制信号生成系统的框图。

图5示出了并入图1、图3和/或图4的电路的示例性无线传输装置的框图。

具体实施方式

将使用本领域技术人员通常采用的、用以将他们的工作的实质传达给其他本领域技术人员的术语来描述示例性实施例的各个方面。然而，对本领域技术人员来说，将会明显的是可以仅利用所描述的方面中的一些方面来实践替选实施例。为了说明的目的，阐明了具体的装置和配置，以便提供对示例性实施例的透彻理解。然而，对本领域技术人员来说，将会明显的是可以在没有具体细节的情况下实践替选实施例。在其它实例中，省略或简化了公知的特征，以便不使示例性实施例是难理解的。

此外，进而将以最有助于理解本公开内容的方式将各个操作描述为多个独立的操作；然而，不应将描述的顺序解释成意味着这这些操作必须与顺序相关。具体地，不需要以所陈述的顺序来进行这些操作。

重复地使用短语“在各种实施例中”。该短语一般不指相同的实施例；然而，该短语可以指相同的实施例。术语“包括（comprising）”、“具有”以及“包含（including）”是同义的，除非上下文另外指明。

在对可以与各个实施例结合使用的语言提供一些澄清的上下文时，短语“A/B”以及“A和/或B”是指（A）、（B）或者（A和B）；并且短语“A、B和/或C”是指（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C）或者（A、B和C）。

术语“与……耦接”连同其派生词可以在本文中使用。“耦接”可以指下述中的一个或更多个。“耦接”可以指两个或更多个元件处于直接的物理或电接触。然而，“耦接”还可以指两个或更多个元件彼此间接接触，但还仍然彼此协作或交互，并且可以指一个或更多个其它元件被耦接或连接在被认为是彼此耦接的元件之间。