[发明专利]PECVD设备、载板视觉识别系统及方法有效
申请号: | 201210152623.1 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN103422070A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 吴琼 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | pecvd 设备 视觉 识别 系统 方法 | ||
1.一种载板视觉识别系统,其特征在于,包括:
载板,所述载板具有载板条,所述载板条设有作为位置特征点的通孔且所述载板条上具有用于放置晶片的晶片位置;
光源,所述光源设在所述载板下方;
摄像头,所述摄像头设在所述载板上方并与所述位置特征点对应,用于利用从所述通孔透过的光拍摄所述位置特征点的位置;和
计算装置,所述计算装置与所述摄像头相连,用于将所述摄像头拍摄的所述位置特征点的位置与预设的标准特征点进行比较以识别所述位置特征点,其中在所述位置特征点被成功识别时根据所述位置特征点的位置计算该位置特征点所在的载板条上的晶片位置。
2.根据权利要求1所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述载板条为多个,每个所述载板条上具有多行晶片位置,所述计算装置内还预存有用于标志每个所述载板条上的晶片位置的行数的整形数组,其中所述计算装置在识别所述位置特征点之前读取所述位置特征点所在的载板条上的晶片位置的行数且根据所述晶片位置的行数确定用于与所述位置特征点相比较的标准特征点。
3.根据权利要求1所述的载板视觉识别系统,其特征在于,在所述位置特征点未被成功识别时,则控制所述摄像头再次拍摄,重新进行识别。
4.根据权利要求1所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述光源为白色平面光源。
5.根据权利要求4所述的载板视觉识别系统,其特征在于,还包括载板支架,所述光源可装卸地设置在所述载板支架上。
6.根据权利要求1所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述通孔分别设在所述载板条的两端。
7.根据权利要求6所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述载板条的每一端分别设有一个通孔。
8.根据权利要求1-7任一项所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述通孔为圆形通孔。
9.根据权利要求8所述的载板视觉识别系统,其特征在于,所述圆形通孔的孔径为6-8毫米。
10.一种等离子体增强化学气相沉积PECVD设备,其特征在于,包括:
根据权利要求1-9任一项所述的载板视觉识别系统;以及
晶片传输装置,所述晶片传输装置用于根据所述载板视觉识别系统确定的晶片位置将晶片放置到晶片位置上或将晶片从所述晶片位置上取下。
11.一种利用权利要求1-9中任一项所述载板视觉识别系统进行的载板视觉识别方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:控制所述摄像头利用从所述通孔透过的光拍摄所述位置特征点的位置;和
S2:通过所述计算装置将所述摄像头拍摄的所述位置特征点的位置与预设的标准特征点进行比较以识别所述位置特征点,其中在所述位置特征点被成功识别时根据所述位置特征点的位置计算该位置特征点所在的载板条上的晶片位置。
12.根据权利要求11所述的载板视觉识别方法,其特征在于,当所述载板视觉识别系统为根据权利要求2所述的载板视觉识别系统时,所述载板视觉识别方法还包括:
在识别所述位置特征点之前通过所述计算装置读取所述位置特征点所在的载板条上的晶片位置的行数,并根据所述晶片位置的行数确定用于与所述位置特征点相比较的标准特征点。
13.根据权利要求11所述的载板视觉识别方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述位置特征点未被成功识别时,则控制所述摄像头再次拍摄,重新进行识别。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210152623.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的