[发明专利]一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法

权利要求书

1.一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu₂O₃∶SiO₂=1∶（0.8~1.2）。

2.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，原料粉中，氧化镥粉的纯度≥99.994wt.%，其粒度为2~15μm；二氧化硅粉的纯度≥99.99wt.%，其粒度为1.5~10μm。

3.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，具体的制备步骤为，

（1）将氧化镥粉和二氧化硅粉混合物经球磨机球磨2~50小时，球磨介质与粉末分离后，将粉末置于烘箱中，在50~70°C下烘干，得到干燥粉末；

（2）将烘干的原料粉末装入石墨套筒中，以5~20MPa的压力冷压5~30分钟，冷压成型，在通有氩气保护气氛的热压炉中烧结，热压炉以2~20°C/min的升温速率升至1300~1650°C后保温，原位反应0.5~3小时，然后以2~15°C/min的降温速率降至室温，烧结好的材料经过研磨得到镥硅氧Lu₂SiO₅粉体陶瓷材料。

4.按权利要求3所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，步骤（1）中，的球磨过程采用氮化硅球加入分析纯乙醇进行常规湿磨。

5.按权利要求3所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，步骤（1）中，球磨介质与原料粉末的分离采用过筛法，筛子的孔径为120目。

6.按权利要求3所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，步骤（2）中，升温速率优选为5°C/min。

7.按权利要求3所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，步骤（2）中，降温速率优选为5°C/min。

8.按权利要求3所述的原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法，其特征在于，步骤（2）中，反应气氛为纯度≥99.99%的氩气。