[发明专利]附有LED图案的基板的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用来将在基板上二维地重复配置着多个单位图案而形成的附有图案的基板分割的加工方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)元件是通过如下处理制造而成，即，使在例如蓝宝石等基板(晶片、母基板)上二维地重复形成LED元件的单位图案而形成的附有图案的基板(附有LED图案的基板)，在设置成格子状的被称为界道(street)的断裂位置上断裂(分割)，而分段化(芯片化)。作为所述断裂时形成作为断裂起点的分割起点的方法，已知有剥蚀(ablation)法、或LMA(Laser Melting Alteration，激光熔融变质)法等激光刻划法(例如，参照专利文献1及专利文献2)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2004-165226号公报

[专利文献2]国际公开第2006/062017号

发明内容

[发明所要解决的问题]

在利用激光刻划这一加工方法而形成分割起点且其后进行断裂的情况下，不论是使用剥蚀法，还是使用LMA(激光熔融变质)法，都会在照射激光后在基板表面上形成加工变质层。如果残留有该加工变质层，那么会存在如下问题：来自LED元件的发光部分的光被吸收，而使光的出射效率(也就是亮度)降低。

也提出了通过尽可能地缩小该加工变质层的形成体积来抑制亮度降低的方法，但只要残留有一定程度的加工变质层，便不可避免地会产生亮度稍微降低的情况。

本发明是鉴于所述课题而完成的，其目的在于提供一种在断裂后的LED芯片上不会残留加工变质层的附有图案的基板的加工方法。

[解决问题的技术手段]

为了解决所述课题，技术方案1的发明是一种附有LED图案的基板的加工方法，是对在基底基板上二维地重复配置着多个LED单位图案而形成的附有LED图案的基板进行加工的方法；该加工方法的特征在于包括：刻划步骤，通过沿预定分割线对所述附有LED图案的基板照射激光，而在所述附有LED图案的基板上以格子状进行刻划；蚀刻步骤，通过将经过所述刻划步骤的所述附有LED图案的基板浸渍在蚀刻液中而去除加工变质层；以及断裂步骤，通过使经过所述蚀刻步骤的所述附有LED图案的基板沿划线断裂而将基板分割。

根据技术方案1所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案2的发明的特征在于：在进行保护膜形成步骤后进行所述刻划步骤，该保护膜形成步骤是在所述附有LED图案的基板的图案形成面上形成保护膜；且在进行去除所述保护膜的保护膜去除步骤后进行所述断裂步骤。

根据技术方案2所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案3的发明的特征在于：还包括电极形成步骤，该电极形成步骤是在经过所述保护膜去除步骤的所述附有LED图案的基板上形成与所述多个LED单位图案的各个相对应的电极；且在所述断裂步骤中使形成着所述电极的所述附有LED图案的基板断裂。

根据技术方案1至3中任一技术方案所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案4的发明的特征在于：所述基底基板为蓝宝石基板；所述蚀刻液为热磷酸、热磷酸和热硫酸的混合酸、或热熔融氢氧化钾中的任一者。

根据技术方案1至4中任一技术方案所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案5的发明的特征在于：在所述刻划步骤中，通过扫描且沿所述预定分割线照射从指定的光源射出的脉冲激光而形成所述被加工区域，该所述被加工区域包含在第1方向上连续的部分，但与所述第1方向垂直的截面的状态在所述第1方向上产生变化；且经过所述蚀刻步骤的所述被加工区域成为所述划线。

根据技术方案1至4中任一技术方案所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案6的发明的特征在于：在所述刻划步骤中，通过扫描且沿所述预定分割线照射从指定的光源射出的脉冲激光，而在所述附有LED图案的基板的表面上形成所述被加工区域，该所述被加工区域包含：第1区域，在第1方向上连续；以及第2区域，与所述第1区域连接但具有在所述第1方向上不连续的部分；且，经过所述蚀刻步骤的所述被加工区域成为所述划线。

根据技术方案1至4中任一技术方案所述的附有LED图案的基板的加工方法，技术方案7的发明的特征在于：在所述刻划步骤中，通过扫描且沿所述预定分割线照射从指定的光源射出的脉冲激光，而形成所述被加工区域，该所述被加工区域是多个大致椭圆锥状或大致楔形状的单位被加工区域在第1方向上连接而形成的；且经过所述蚀刻步骤的所述被加工区域成为所述划线。