[发明专利]背照式图像传感器的像素

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的像素，所述像素包括：

衬底，具有正上表面和背侧；

光电二极管，配置为响应从所述衬底的所述背侧接收的光以产生光电荷，其中所述光电二极管形成在所述衬底的所述正上表面附近；以及

反射栅极，设置在所述光电二极管之上，并且配置为将从所述衬底的所述背侧接收的光反射到所述光电二极管的前侧，其中所述反射栅极还配置为接收偏压信号，以控制所述光电二极管的耗尽区的范围。

2.根据权利要求1所述的像素，还包括转移晶体管，所述转移晶体管配置为将所述光电荷转移到浮置扩散节点。

3.根据权利要求2所述的像素，其中所述转移晶体管包括与所述反射栅极间隔开的转移栅极，并且所述转移栅极和所述反射栅极设置为与所述衬底的所述正上表面相距实质上相同的距离。

4.根据权利要求2所述的像素，其中所述转移晶体管包括缓冲区域，所述缓冲区域形成在所述衬底中并且与所述反射栅极的边缘垂直地对准。

5.根据权利要求3所述的像素，其中所述转移栅极的一部分与所述反射栅极重叠。

6.根据权利要求1所述的像素，其中所述反射栅极包括堆叠层结构。

7.根据权利要求6所述的像素，其中所述堆叠层结构包括：

多晶硅层；以及

金属层，相邻于所述多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的像素，其中所述金属层包括硅化钨层。

9.根据权利要去7所述的像素，其中所述金属层包括钨。

10.根据权利要求1所述的像素，其中所述反射栅极包括单层结构。

11.根据权利要求10所述的像素，其中所述单层结构包括金属硅化物层或者金属层。