[发明专利]一种BCD集成器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双极型晶体三极管-互补金属氧化物半导体场效应晶体管-双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管BCD集成器件，包括衬底，其特征在于，还包括超高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管nLDMOS、高压P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS和低压N型双极型晶体三极管NPN；

其中，所述超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN位于所述衬底中。

2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述衬底为电阻率为50～200欧姆·厘米的P型单晶衬底。

3.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述超高压nLDMOS的漏极N+掺杂区位于第一N阱中，所述超高压nLDMOS的源极N+掺杂区位于第二N阱中，且所述第一N阱位于第一深N阱中，所述超高压nLDMOS的体区为第一P阱，且所述第一P阱位于所述第二N阱和所述第一深N阱之间。

4.如权利要求3所述的集成器件，其特征在于，所述第一深N阱的结深为所述第一N阱的结深的1.5倍～2.5倍，且为所述第二N阱的结深的1.5倍～2.5倍，且为所述第一P阱的结深的1.5倍～2.5倍。

5.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述高压PMOS的漏极P+掺杂区位于第二P阱中，所述高压PMOS的源极P+掺杂区位于第三N阱中，且所述第二P阱和所述第三N阱位于第二深N阱中。

6.如权利要求5所述的集成器件，其特征在于，所述第二深N阱的结深为所述第二P阱的结深的1.5倍～2.5倍，且为所述第三N阱的结深的1.5倍～2.5倍。

7.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述低压NPN的发射极N+掺杂区位于第三P阱中，所述低压NPN的集电区为第三深N阱，所述第三P阱位于所述第三深N阱中，所述集电区通过位于第三深N阱中的第四N阱以及位于第四N阱中的N+掺杂区从低压NPN的表面引出。

8.如权利要求7所述的集成器件，其特征在于，所述第三深N阱的结深为所述第三P阱的结深的1.5倍～2.5倍，且为所述第四N阱的结深的1.5倍～2.5倍。

9.如权利要求1～8任一所述的集成器件，其特征在于，所述低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS和所述低压PMOS的栅氧化层为薄栅氧，所述高压NMOS和所述高压PMOS的栅氧化层为薄栅氧或厚栅氧，所述超高压nLDMOS的栅氧化层为厚栅氧。

10.一种如权利要求1的双极型晶体三极管-互补金属氧化物半导体场效应晶体管-双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管BCD集成器件的制造方法，其特征在于，该方法包括：

在P型单晶衬底中形成超高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管nLDMOS、高压P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS和低压N型双极型晶体三极管NPN。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在P型单晶衬底中形成超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN包括：

在P型单晶衬底中形成第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱；

在所述第一深N阱中形成第一N阱，以及在所述第一深N阱之外形成第二N阱，在所述第一深N阱之外形成位于所述第一深N阱和所述第二N阱之间的第一P阱；在所述第二深N阱中形成第二P阱和第三N阱；在所述第三深N阱中形成第三P阱和第四N阱；

在所述衬底表面的部分区域形成场氧化层，在未被所述场氧化层覆盖的衬底表面区域形成栅氧化层；

在超高压nLDMOS的栅氧化层和场氧化层表面的部分区域以及高压PMOS的栅氧化层和场氧化层表面的部分区域形成多晶硅栅；

在所述第一N阱中形成超高压nLDMOS的漏极的N+掺杂区，以及在所述第二N阱中形成超高压nLDMOS的源极的N+掺杂区，在所述第二P阱中形成高压PMOS的漏极的P+掺杂区，以及在所述第三N阱中形成高压PMOS的源极的P+掺杂区，以及在所述第三P阱中形成低压NPN的发射极的N+掺杂区和低压NPN的基极的P+掺杂区，以及在所述第四N阱中形成低压NPN的集电极的N+掺杂区。