[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池及该太阳能电池的制造方法。更具体地，本发明的实施方式涉及一种太阳能电池，其中发射极层的的厚度和背表面场层的厚度彼此不同，以及该太阳能电池的制造方法。

背景技术

已经预计到诸如石油或煤炭这样的传统能源会耗尽，对替代能源的兴趣正在增长，希望用它们代替传统能源。在这些替代能源中，太阳能电池作为能够通过使用半导体将太阳能直接转换为电能的下一代装置而受到公众的广泛关注。

换句话说，太阳能电池是使用光伏（photovoltaic）效应将太阳能转换为电能的装置。根据所采用的材料，太阳能电池可以被分类为硅太阳能电池、薄膜型太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机聚合物型太阳能电池，其中硅太阳能电池比其它类型的太阳能电池更普遍。对于以上讨论的太阳能电池，很重要的是提高其效率，这就涉及将入射光线转换为电能的比例。

发明内容

本发明的实施方式致力于提供一种具有优异的光伏转换效率的太阳能电池以及该太阳能电池的制造方法。

为了实现该目的和其它目的，根据本发明的一个实施方式的太阳能电池包括：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。

另外，为了实现该目的，根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的制造方法包括：制备第一导电类型的硅半导体基板；通过在所述硅半导体基板的第一表面上第一离子注入具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第一杂质，来形成第一杂质掺杂区域；通过在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上执行第二离子注入具有第一导电类型的第二杂质，来形成第二杂质掺杂区域；以及对第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域均执行热处理，以分别形成发射极层和背表面场层，其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。

附图说明

附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，这些附图例示了本发明的实施方式，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的立体图；

图2是沿着图1的线A-A’截取的太阳能电池的截面图；

图3是沿着图1的线B-B’截取的太阳能电池的截面图；

图4是根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图；

图5是图4的太阳能电池的发射极层的掺杂曲线；

图6例示太阳能电池中具有如图5所示的掺杂曲线的发射极层的变化电阻的测量结果；

图7到图12是例示根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的制造方法的图；

图13是根据本发明的一个实施方式的太阳能电池模块的截面图；

图14是图13的C部分的放大图；

图15是根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图；

图16是根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图；以及

图17是根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图。

具体实施方式

将参照附图更详细描述本发明的实施方式。

在下文，附图中包括对所有“直接”或者“间接”形成、安装、构建在各个元件“上”或者“下”的元件的引用，并且将基于附图描述对在各个其它元件“上”和“下”的元件的引用。为了便于例示，各个元件可能被夸大、省略或者示意地例示。

图1是根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的立体图；图2是沿着图1的线A-A’截取的太阳能电池的截面图；图3是沿着图1的线B-B’截取的太阳能电池的截面图。在此示例中，图2和图3对应于平行于X-Y平面切割图1的太阳能电池并且沿着Z轴观察的截面图。