[发明专利]高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法

权利要求书

1.高导低损铁氧体材料，包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：

Fe₂O₃    50mol%，

NiO 20mol%～30mol%，

ZnO 15mol%～25mol%，

CuO      5mol%；

以重量百分比计算，掺杂成份为：

CoO     0～1.2wt%，

V₂O₅    0～1.2wt%。

2.如权利要求1所述的高导低损铁氧体材料，其特征在于，各组分为：

Fe₂O₃    50mol%，

NiO 25mol%～27.5mol%，

ZnO 17.5mol%～20mol%，

CuO      5mol%；

CoO      0～0.3wt%，

V₂O₅     0～0.9wt%。

3.如权利要求1所述的高导低损铁氧体材料，其特征在于，Fe₂O₃为50mol%；NiO为25mol%；ZnO为20mol%；CuO为5mol%；掺杂成份为0.3wt%的CoO。

4.采用如权利要求1所述的高导低损铁氧体材料的铁氧体薄膜，其特征在于，所述铁氧体薄膜厚度为0.1mm~0.3mm。

5.如权利要求4所述的铁氧体薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1）混合原材料：按预定的组分比例称量原材料，放入球磨机中进行一次球磨；

2）预烧：将一次球磨好的原料烘干，将烘干的的原料放入高温炉中进行预烧；

3）二次球磨：将预烧完后的原料进行二次球磨，加入添加剂CoO0～1.2wt%，V₂O₅0～1.2wt%；

4）铁氧体薄膜的制备：将二次球磨后的原料与高分子树脂混合均匀，然后按照要求进行扎膜，然后裁剪成所需的尺寸；

5）在裁剪好的铁氧体薄膜上洒上一定量的细氧化铝粉，然后将铁氧体薄膜平置放在两层锆板之间，烧结，烧结温度为950～1100℃。

6.如权利要求5所述的铁氧体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤5）的烧结过程包括排水，排胶和高温烧结，具体烧结步骤为：0℃到300℃排水，升温速度为1℃/min；300℃到650℃排胶，升温速度为1.5℃/min，并在650℃保温1h；650℃到950～1100℃高温烧结，升温速度为2℃/min，保温3h。