[发明专利]防止电路系统过压的电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：

正供电节点；

输出节点；

负供电节点；

第一功能电路，所述第一功能电路包括电荷泵并且构造成导通MOSFET并将所述MOSFET保持在低电阻状态；

第二功能电路，所述第二功能电路构造成检测过压并且控制所述MOSFET的栅极以调节在所述输出节点处的电压；和

第三功能电路，所述第三功能电路构造成限制施加的跨越所述过压保护电路的过压的大小；

其中所述正供电节点和所述负供电节点构造成通过外部部件分别连接到正电源和地，从而所述过压保护电路工作为随施加到所述正供电节点的电压而浮动。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路调节其自身的工作电压，以使所述过压保护电路基本独立于所述正供电节点处的过压而工作。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中：

所述MOSFET是外部部件，并且

所述MOSFET的栅极连接到所述电荷泵的输出。

4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路的所述第一功能电路包括至少一个电荷泵，所述电荷泵构造成驱动所述MOSFET的栅极并且将所述MOSFET的导通保持在低电阻状态。

5.根据权利要求4所述的过压保护电路，其中所述至少一个电荷泵构造成驱动所述MOSFET的栅极高于正电源电平并且高于所述输出节点处的预定电压电平。

6.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述外部部件包括：

连接在所述过压保护电路的所述正供电节点和所述正电源之间的至少一个电阻元件；和

连接在所述过压保护电路的所述负供电节点和地之间的至少一个电阻元件。

7.根据权利要求6所述的过压保护电路，其中连接在所述过压保护电路的所述正供电节点和所述正电源供应之间的所述至少一个电阻元件和连接在所述过压保护电路的所述负供电节点和地之间的所述至少一个电阻元件是（i）电阻器或（ii）恒流晶体管中的一个。

8.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路还包括至少一个分路调节器，所述至少一个分路调节器被构造为钳位所述过压保护电路的所述输出节点与所述负供电节点之间的预定电压。

9.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路还包括至少一个分路调节器，所述分路调节器构造成钳位所述过压保护电路的所述输出节点与基极节点之间的预定电压。

10.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路还包括至少一个分路调节器，所述分路调节器构造成钳位所述过压保护电路的所述正供电节点与所述负供电节点之间的预定电压。

11.根据权利要求10所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路还包括逻辑和计时器块，所述逻辑和计时器块防止来自逻辑电路的直通电流。

12.根据权利要求11所述的过压保护电路，其中：

所述过压保护电路的所述第二功能电路包括过压调节放大器，所述过压调节放大器构造成驱动所述MOSFET的栅极；并且

所述至少一个分路调节器构造成钳位所述输出节点和所述负供电节点之间的所述预定电压并且所述输出节点是所述电荷泵和所述过压调节放大器的供应。

13.根据权利要求12所述的过压保护电路，其中构造成钳位所述过压保护电路的所述正供电输入节点和所述负供电节点之间的所述预定电压的所述至少一个分路调节器为所述逻辑和计时器块提供始终导通的供电。

14.根据权利要求10所述的过压保护电路，其中所述输出节点经过所述电荷泵自举到自身，其中

输出电容器对所述电荷泵供电；并且

所述输出电容器被连接在所述输出节点和所述负供电节点之间。

15.根据权利要求4所述的过压保护电路，其中所述过压保护电路的所述第二功能电路进一步构造成提供冷却功能以防止所述MOSFET过热。