[发明专利]太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于该导电薄膜依次包括：衬底层，衬底层上对入射的长波长光起陷光作用的具有大“弹坑状”的陷光绒面层简称长波长陷光层，以及陷光绒面层上采用MOCVD技术沉积的对入射的短波长光起陷光作用的具有小“类金字塔”绒度的陷光层简称短波长陷光层；

长波长陷光层：是在衬底层上一次沉积和一次湿法腐蚀处理后得到的具有大“弹坑状”的陷光绒面结构的ZnO薄膜，所述的大“弹坑状”为微米级尺寸；

短波长陷光层：是在具有大“弹坑状”的陷光绒面结构的ZnO薄膜上采用MOCVD沉积技术沉积的一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜，所述的小“类金字塔”为纳米级尺寸。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于所述的衬底层为硬质衬底或柔性衬底材料；所述的硬质衬底材料为玻璃或不锈钢，所述的柔性衬底材料为聚合物材料。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于所述的长波长陷光层所用ZnO薄膜为掺杂氧化锌材料，具体为ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：H、ZnO：Mo或ZnO：W中的至少一种，n型半导体材料；短波长陷光层所述的ZnO薄膜为本征氧化锌材料或掺杂氧化锌材料；长波长陷光层和短波长陷光层的厚度分别为0.5-1.5μm之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于所述的宽光谱陷光的薄膜太阳电池用透明导电薄膜表面均方根粗糙度在70-250nm之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜，其特征在于所述的宽光谱陷光透明导电薄膜作为薄膜太阳电池的前电极，随后在其上制备薄膜太阳电池；所述的薄膜太阳电池为非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜太阳电池及多结叠层硅基薄膜太阳电池中的至少一种。

6.一种权利要求1所述的薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤是：

第一、在清洁处理后的衬底上制备ZnO薄膜，厚度为0.5-1.5μm之间；

第二、对第一步所述ZnO薄膜进行湿法腐蚀处理获得具有大“弹坑状”的长波长陷光层，所述的湿法腐蚀制绒处理采用质量浓度为0.1%-5%的稀盐酸，腐蚀时间为20-150s之间；

第三、在第二步的长波长陷光层的ZnO薄膜上采用MOCVD沉积技术再沉积一层兼有小“类金字塔”绒度的短波长陷光层ZnO薄膜，厚度为0.5-1.5μm之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一步中所述的ZnO薄膜采用电子束蒸发、磁控溅射、分子束外延或脉冲激光沉积中的至少一种方法制得。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，第一步中所述的ZnO薄膜为掺杂氧化锌材料，具体为ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：H、ZnO：Mo或ZnO：W中的至少一种，n型半导体材料；第三步中所述的ZnO薄膜为本征氧化锌材料或掺杂氧化锌材料。