[发明专利]一种具有无源金属PN结半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有无源金属PN结半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；

无源金属区，为金属与半导体材料的化合物，无源金属区与半导体材料形成肖特基结势垒，无源金属区位于漂移层中沟槽内侧壁下部，同时沟内填充绝缘材料，无源金属区垂直衬底层方向与第一导电半导体材料交替排列构成，并且其上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料；

第二导电半导体材料区，位于漂移层上表面，为第二导电半导体材料，并且与无源金属区不相连。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的无源金属区为金属化合物薄膜包裹绝缘材料构成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料区表面为高浓度杂质掺杂区域。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料区与无源金属区之间通过第一导电半导体材料相连。

6.如权利要求1所述的具有无源金属PN结半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内形成金属，刻蚀金属，淀积第二绝缘材料，反刻蚀第二绝缘材料，腐蚀金属，在沟槽侧壁下部形成无源金属区；

4)在沟槽内形成绝缘材料，反刻蚀绝缘材料，在沟槽内形成绝缘材料；

5)注入杂质，然后进行退火工艺，在沟槽之间的半导体材料上部形成第二导电半导体材料区。