[发明专利]正偏压温度不稳定性的恢复电路和恢复方法

权利要求书

1.一种正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，

包括：待恢复NMOS晶体管和恢复单元，所述待恢复NMOS晶体管的栅极与恢复单元相连接，所述恢复单元包括：

信号输入端，用于输入第一电压或第二电压，所述第一电压控制待恢复NMOS晶体管处于恢复状态，所述第二电压控制待恢复NMOS晶体管处于工作状态；

信号输出端，所述恢复单元通过信号输出端与待恢复NMOS晶体管的栅极相连接，通过所述信号输出端控制所述待恢复NMOS晶体管是否处于恢复状态；

开关晶体管，用于控制所述信号输出端的电压；

第一电阻和第二电阻，用于调节施加在待恢复NMOS晶体管的栅极上的电压；

第一电压端，用于提供第一工作电压，所述第一工作电压为负电压；

第二电压端，用于提供第二工作电压；

其中，所述开关晶体管的栅极与信号输入端相连接，所述开关晶体管的漏极与第一电压端相连接，所述开关晶体管的衬底与第二电压端相连接，所述开关晶体管的源极与第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端与信号输出端相连接，所述第一电阻的一端与信号输入端相连接，所述第一电阻的另一端与信号输出端相连接。

2.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管为NMOS增强型晶体管，所述NMOS增强型晶体管的衬底和源极与接地端相连接，所述NMOS增强型晶体管的漏极与第三电压端相连接，所述第三电压端用于提供第三工作电压，所述开关晶体管为PMOS增强型晶体管，所述第三工作电压、第二工作电压和第二电压的电压值相等，都为内核电压值，所述第一电压的电压值为零电压，所述第一工作电压的电压值为负的内核电压值或负的I/O电压值。

3.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管为NMOS耗尽型晶体管，所述NMOS耗尽型晶体管的源极与接地端相连接，所述NMOS增强型晶体管的漏极和衬底与第三电压端相连接，所述第三电压端用于提供第三工作电压，所述开关晶体管为PMOS增强型晶体管，所述第三工作电压、第二工作电压和第二电压的电压值相等，都为内核电压值，所述第一电压的电压值为零电压，所述第一工作电压的电压值为负的内核电压值或负的I/O电压值。

4.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管为NMOS增强型晶体管，所述NMOS增强型晶体管的衬底和源极与接地端相连接，所述NMOS增强型晶体管的漏极与第三电压端相连接，所述第三电压端用于提供第三工作电压，所述开关晶体管为PMOS耗尽型晶体管，所述第三工作电压和第二电压的电压值相等，都为内核电压值，所述第一电压和第二工作电压的电压值相等，都为零电压，所述第一工作电压的电压值为负的内核电压值或负的I/O电压值。

5.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管为NMOS耗尽型晶体管，所述NMOS耗尽型晶体管的漏极与接地端相连接，所述NMOS增强型晶体管的源极和衬底与第三电压端相连接，所述第三电压端用于提供第三工作电压，所述开关晶体管为PMOS耗尽型晶体管，所述第三工作电压和第二电压的电压值相等，都为内核电压值，所述第一电压和第二工作电压的电压值相等，都为零电压，所述第一工作电压的电压值为负的内核电压值或负的I/O电压值。

6.如权利要求2至5任意一项所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述内核电压值为1V、1.2V、1.5V或1.8V，所述I/O电压值为1.8V、2.5V、3.3V或5V。

7.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管的栅极结构为高K/金属栅极堆叠结构。

8.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述第一电阻和/或第二电阻的电阻值可调。

9.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的电阻值范围为10欧姆~1000欧姆。

10.如权利要求1所述的正偏压温度不稳定性的恢复电路，其特征在于，所述待恢复NMOS晶体管为电路中的其中一个晶体管或用于晶体管可靠性测试的测试晶体管。