[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的AZO层，金层及ReO₃层，其中AZO为掺铝的氧化锌。

2.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将AZO靶材、金和ReO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，AZO为掺铝的氧化锌靶材；

在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述AZO层表面溅镀金层，溅镀所述金层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述金层表面溅镀ReO₃层，溅镀所述金层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZO层的厚度为50nm～150nm，所述金层的厚度为5nm～35nm，所述ReO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和Al₂O₃粉体混合均匀，其中Al₂O₃的质量百分数为0.1％～3％，余量为ZnO，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZO层的厚度为80nm，所述金层的厚度为25nm，所述ReO₃层的厚度为2nm。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、AZO层，金层及ReO₃层，其中，所述AZO为掺铝的氧化锌。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将AZO靶材、金和ReO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，AZO为掺铝的氧化锌靶材；

在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述AZO层表面溅镀金层，溅镀所述金层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述金层表面溅镀ReO₃层，溅镀所述金层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述AZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和Al₂O₃粉体混合均匀，其中Al₂O₃的质量百分数为0.1％～3％，余量为ZnO，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述AZO层的厚度为50nm～150nm，所述金层的厚度为5nm～35nm，所述ReO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的AZO层，金层及ReO₃层，其中AZO为掺铝的氧化锌。