[发明专利]激光二极管泵浦多晶体调Q激光器

权利要求书

1.一种激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，包括：激光二极管、传能光纤、耦合系统、激光增益介质、Q开关、全反射镜和激光输出镜，其特征在于：上述激光增益介质由第一激光增益介质和第二激光增益介质构成，在光路传导方向上，第一激光增益介质设置在第二激光增益介质之前；激光二极管(1)发出泵浦光经过传能光纤(2)和耦合系统(3)聚焦后传输到第一激光增益介质(5)和第二激光增益介质(6)中，并对上述两块激光增益介质进行泵浦，第一激光增益介质(5)和第二激光增益介质(6)产生自发辐射，通过全反射镜(4)及激光输出镜(8)的反馈及模式选择，形成受激发射，在Q开关(7)的调制作用下，产生脉冲激光，并由输出镜(8)输出。

2.根据权利要求1所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：上述激光二极管(1)的中心波长为808nm、879nm、880nm、885nm、888nm、914nm、940nm、976nm或912nm之中的任一种。

3.根据权利要求1所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：第一激光增益介质(5)的上能级寿命长且发射截面小。

4.根据权利要求3所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：构成第一激光增益介质(5)的材料是Nd:YAG晶体、Nd:GGG晶体、Nd:YLF晶体、Yb:YAG晶体之中的任一种。

5.根据权利要求1或3所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：第二激光增益介质(6)的上能级寿命短且发射截面大。

6.根据权利要求5所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：构成第二激光增益介质(6)的材料是Nd:YVO₄晶体、Nd:GdVO₄晶体、Nd:LVO₄晶体之中的任一种。

7.根据权利要求1所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：Q开关(7)为声光Q开关、电光Q开关或被动Q开关之中的任一种。

8.根据权利要求1所述的激光二极管泵浦多晶体调Q激光器，其特征在于：第一激光增益介质(6)的上能级寿命短且发射截面大，构成第一激光增益介质(6)的材料是Nd:YVO₄晶体、Nd:GdVO₄晶体、Nd:LVO₄晶体之中的任一种；第二激光增益介质(5)的上能级寿命长且发射截面小，构成第二激光增益介质(5)的材料是Nd:YAG晶体、Nd:GGG晶体、Nd:YLF晶体、Yb:YAG晶体之中的任一种。