[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，掺杂镓的氧化锌(GZO)是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。要在保持透明度和导电性的前提下，提高薄膜的表面功函数，则需要比较复杂的工序，而且效果不是很明显，稳定性不高。 

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 

一种导电薄膜，包括层叠的GZO层，铜层及MoO₃层，其中GZO为掺杂镓的氧化锌。 

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤： 

将GZO靶材、铜和MoO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO为掺杂镓的氧化锌靶材； 

在所述衬底表面溅镀GZO层，溅镀所述GZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述GZO层表面溅镀铜层，溅镀所述铜层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～100W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述铜层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述铜层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及 

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 

在其中一个实施例中，GZO层的厚度为20nm～120nm，所述铜层的厚度为3nm～20nm，所述MoO₃层的厚度为1nm～10nm。 

在其中一个实施例中，所述GZO靶材由以下步骤得到：将Ga₂O₃和ZnO粉体混合均匀，其中Ga₂O₃的质量百分数为1％～5％，余量为ZnO，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。 

在其中一个实施例中，所述GZO层的厚度为50nm，所述铜层的厚度为10nm，所述MoO₃层的厚度为3nm。 

一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、GZO层，铜层及MoO₃层，其中，所述GZO为掺杂镓的氧化锌。 

一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤： 

将GZO靶材、铜和MoO₃及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，GZO为掺杂镓的氧化锌靶材； 

在所述衬底表面溅镀GZO层，溅镀所述GZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述GZO层表面溅镀铜层，溅镀所述铜层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～100W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃； 

在所述铜层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述铜层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为70W～120W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。