[发明专利]半导体元件和电子装置有效
| 申请号： | 201210147617.7 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102790172B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 小野秀树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，包括：
有机半导体层；以及
上表面层，设置在所述有机半导体层的上表面上，
其中，所述上表面层的轮廓在所述有机半导体层的轮廓内侧，其中，
所述上表面层由金属、金属氧化物和导电聚合物中的一种形成，并且
其中，在设置有所述上表面层的所述有机半导体层的所述上表面和侧面上设置有配线层，
所述上表面层为所述有机半导体层与所述配线层的接触层，其中
所述上表面层的轮廓相对于所述有机半导体层的凹入量为1μm到2μm。
2.根据权利要求1的半导体元件，
其中，所述配线层由与所述上表面层相同的材料形成。
3.根据权利要求1的半导体元件，
其中，所述配线层由与所述上表面层不同的材料形成。
4.一种电子装置，包括：半导体元件，
其中，所述半导体元件包括：
有机半导体层，以及
上表面层，设置在所述有机半导体层的上表面上，
所述上表面层的轮廓在所述有机半导体层的轮廓内侧，其中，
所述上表面层由金属、金属氧化物和导电聚合物中的一种形成，并且
其中，在设置有所述上表面层的所述有机半导体层的所述上表面和侧面上设置有配线层，
所述上表面层为所述有机半导体层与所述配线层的接触层，其中
所述上表面层的轮廓相对于所述有机半导体层的凹入量为1μm到2μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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