[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机材料化合物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机材料化合物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，空穴传输速率一般比电子传输速率要高两个数量级以上，这就使得空穴在发光区域大量积累，而电子数目较少，最终导致空穴和电子的复合几率大大降低，复合区域发生变化，使色坐标发生改变，显色性较差。因此，为了有效提高空穴和电子的复合几率，提高发光器件的发光效率，提供一种具有可有效调控传输速率空穴传输层的有机电致发光器件变得很重要。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过p掺杂空穴传输层调控空穴传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：阳极、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述有机电致发光器件还包括形成于所述阳极及所述发光层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层，所述p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述p掺杂层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，所述有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料。

优选地，p掺杂层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

量子阱层是由p掺杂层与有机材料层交替设置形成的具有n+1个有机材料层和n个p掺杂层的结构，其中，1≤n≤6，n为整数。在量子阱结构中，p掺杂层为势阱，有机材料层为势垒，p掺杂层与有机材料层交替设置，第一低有机材料层设置在阳极基底上，第n+1有机材料层上设置发光层，p掺杂层设置在相邻两个有机材料层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

当n=2时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

当n的取值过大，则会使得量子阱层的厚度过大，从而影响空穴传输的效果，不利于提高发光器件的发光效率，因此n应该取合适的值，本发明中，1≤n≤6，n为整数。

在p掺杂层的材质中，空穴传输材料为主体，金属氧化物为客体。

优选地，空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。

优选地，所述金属氧化物为氧化钼（MoO₃）、五氧化二钒（V₂O₅）或氧化钨（WO₃））。

优选地，有机材料层的有机材料为八羟基喹啉铝（Alq₃）、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）。

优选地，p掺杂层的厚度为5~40nm/层，低HOMO能级有机材料层的厚度为5~40nm/层。