[发明专利]一种控制在炉管内生成的氧化层厚度的方法在审
| 申请号： | 201210147144.0 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426747A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/8247;C30B31/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;李浩 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 炉管 生成 氧化 厚度 方法 | ||
1. 一种控制在炉管内生成的晶片氧化层厚度的方法，在炉管内的产品晶片两侧设置有冗余片以将所述炉管装满，其特征在于，所述方法包括：
使第一冗余片的与产品晶片正面相对的表面具有与产品晶片背面最外层相同的材料；
其中所述产品晶片正面为所述产品晶片的要形成氧化层的表面，并且所述第一冗余片是炉管内最接近所述产品晶片的冗余片。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冗余片为纯硅片，所述方法包括在生成晶片氧化层之前在所述第一冗余片的与产品晶片正面相对的表面上生长与产品晶片背面最外层相同的材料层。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括将表面具有与产品晶片背面最外层相同的材料的硅片用作所述第一冗余片。
4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面具有与产品晶片背面最外层相同的材料的硅片是已在其他制程中为监控所述材料的生长厚度而被使用的监控片。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述产品晶片背面最外层的材料为氮化硅。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述产品晶片被用于制作非易失性存储器件。
7. 一种用于制作非易失性存储器件的方法，其特征在于，所述方法包括:
在衬底的正面和背面分别层叠氧化层、氮化层和氧化层来形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)薄膜；
将衬底背面的ONO薄膜中最外层的氧化层去除；以及
在炉管内使用如权利要求1-7中任意一项所述的方法在所述衬底正面的ONO薄膜上生成氧化层。
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