[发明专利]一种制备硒化锌光电薄膜的方法无效
申请号: | 201210147025.5 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN102664215A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 刘科高;刘宏;孙昌;许斌;石磊;纪念静 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 硒化锌 光电 薄膜 方法 | ||
1.一种制备硒化锌光电薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:
a.玻璃基片或硅基片的清洗;
b.将2.0~7.0份ZnCl2、1.0~2.0份SeO2放入30~120份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合;
c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;
d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~60h小时,然后冷却到室温取出;
e.将步骤d所得产物,进行自然干燥,得到硒化锌光电薄膜。
2.如权利要求1所述的一种制备硒化锌光电薄膜的方法,其特征在于,步骤a所述清洗,是将大小为2mm×2mm玻璃基片或硅基片,放入体积比三氯甲烷∶乙醇=5∶1的溶液中,超声波清洗;再将基片放入丙酮∶蒸馏水=5∶1的溶液中,超声波清洗;再在蒸馏水中将基片用超声波振荡;将上述得到的基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。
3.如权利要求1所述的一种制备硒化锌光电薄膜的方法,其特征在于,步骤b所述溶剂为去离子水、乙醇、乙二醇、盐酸中的至少一种。
4.如权利要求1所述的一种制备硒化锌光电薄膜的方法,其特征在于,步骤c所述均匀涂布的基片,是通过匀胶机旋涂,匀胶机以200~3500转/分旋转,然后对基片进行烘干后,再次如此重复2~15次,得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。
5.如权利要求1所述的一种制备硒化锌光电薄膜的方法,其特征在于,步骤d所述密闭容器内放入30.0~45.0份水合联氨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的