[发明专利]能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法

权利要求书

1.一种能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，进行版图设计；

第二步，对工艺条件进行优化，确定发射极窗口的目标尺寸；

第三步，基于优化的工艺条件，在平坦片上，通过测试掩膜板上的特征图形完成OPC数据收集；

第四步，基于优化的工艺条件，在具有不同图形密度和台阶差的图形片上，通过测试掩膜板上的特征图形进行OPC数据的收集和修正；

第五步，将第三步收集到的OPC数据和第四步所得到的OPC修正数据整理后，通过OPC软件，完成建模或规则化程序调配；

第六步，将芯片的版图设计数据导入，运行已调配好的OPC程序，结果输出到光罩厂；

第七步，光罩厂制版。

2.根据权利要求1所述的能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于：所述第四步包括以下工序：

工序一，制备具有不同密度和台阶差的前层图形的图形化晶片；

工序二，基于优化的工艺条件，收集和分析发射极窗口当前层特定图形的数据；

工序三，通过对数据进行整理和分析，建立前层图形密度与当前层尺寸的关系；借助OPC软件，对发射极窗口的版图设计图形进行修正，得到对发射极窗口的版图设计图形OPC修正后的数据。

3.根据权利要求2所述的能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于：所述工序一中前层图形的图形化晶片，是一层前层图形，或者是多层前层图形的叠加。

4.根据权利要求2所述的能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于：所述工序一中制备图形化晶片，使用测试掩膜板，或者使用产品的掩膜板。

5.根据权利要求2所述的能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于：所述工序一中不同密度和台阶差的前层图形，是尺寸完全相同的图形；或者是不同尺寸的图形，其中单个图形尺寸<1um。

6.根据权利要求2所述的能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于：所述工序二中发射极窗口当前层图形的排布方式与前层图形有一一对应关系。